產品特點：

● 易于安裝

● 基于視窗結構的軟件，很容易操作

● 的光學設計，以能發揮出的系統性能

● 能夠自動的以0.01度的分辨率改變入射角度

● 高功率的DUV－VIS光源，能夠應用在很寬的波段內

● 基于陣列設計的探測器系統，以快速測量

● 多可測量12層薄膜的厚度及折射率

● 能夠用于實時或在線的監控光譜、厚度及折射率等參數

● 系統配備大量的光學常數數據及數據庫

● 對于每個被測薄膜樣品，用戶可以利用的TFProbe3.0軟件功能選擇使用NK數據庫、也可以進行色散或者復合模型（EMA）測量分析

● 三種不同水平的用戶控制模式：模式、系統服務模式及初級用戶模式

● 靈活的模式可用于各種的設置和光學模型測試

● 健全的一鍵按鈕(Turn－key)對于快速和日常的測量提供了很好的解決方案

● 用戶可根據自己的喜好及操作習慣來配置參數的測量

● 系統有著全自動的計算功能及初始化功能

● 無需外部的光學器件，系統從樣品測量信號中，直接就可以對樣品進行的校準

● 可精密的調節高度及傾斜度

● 能夠應用于測量不同厚度、不同類型的基片

● 各種方案及附件可用于諸如平面成像、測量波長擴展、焦斑測量等各種的需求

● 2D和3D的圖形輸出和友好的用戶數據管理界面。

系統配置： 

● 型號：SE200BA-M300

● 探測器：陣列探測器

● 光源：高功率的DUV-Vis-NIR復合光源

● 指示角度變化：可編程設定，自動可調

● 平臺：ρ-θ配置的自動成像

● 軟件：TFProbe 3.2版本的軟件

● 計算機：Inter雙核處理器、19”寬屏LCD顯示器

● 電源：110–240V AC/50-60Hz，6A

● 保修：一年的整機及備件保修

基本參數：

● 波長范圍：250nm到1000 nm

● 波長分辨率: 1nm

● 光斑尺寸：1mm至5mm可變

● 入射角范圍：10到90度

● 入射角變化分辨率：0.01度

● 樣品尺寸：直徑為300mm

● 基板尺寸：多可至20毫米厚

● 測量厚度范圍*：0nm?10μm

● 測量時間：約1秒/位置點

● 度*：0.25％

● 重復性誤差*：小于1 ?

應用領域：

● 半導體制造（PR，Oxide, Nitride..)

● 液晶顯示（ITO，PR，Cell gap... ..）

● ，生物薄膜及材料領域等

● 油墨，礦物學，顏料，調色劑等

● 醫藥，中間設備

● 光學涂層，TiO2, SiO2, Ta2O5... ..

● 半導體化合物

● 在MEMS/MOEMS系統上的功能性薄膜

● 非晶體，納米材料和結晶硅

產品可選項：             

● 用于反射的光度測量或測量

● 用于測量小區域的微小光斑

● X－Y成像平臺(X-Y模式，取代ρ-θ模式)

● 加熱/致冷平臺

● 樣品垂直安裝角度計

● 波長可擴展到遠DUV或IR范圍

● 掃描單色儀的配置

● 聯合MSP的數字成像功能，可用于對樣品的圖像進行測量