基片尺寸:4英寸(100mm)直徑樣品臺(tái)旋轉(zhuǎn):60rpm基片烘烤溫度：室溫~600 oC，控溫：±2 oC濺射靶:6英寸平面靶(150mm直徑)濺射靶安裝方式:向上濺射,基片在濺射靶下方濺射靶電源:1250W,13.56MHz,自動(dòng)匹配氣路:配置兩路質(zhì)量流量計(jì),流量范圍50~100sccm基片清洗離子源:直徑140mm離子源膜厚測(cè)試功能:預(yù)留檢測(cè)儀接口真空室尺寸:Ф450,外部設(shè)置烘烤系統(tǒng)，烘烤溫度150oC系統(tǒng)極限真空度:8x10-5Pa系統(tǒng)從大氣到10-4Pa的抽氣時(shí)間小于30分鐘系統(tǒng)漏率：系統(tǒng)整體漏率小于10-10Pa。M3/S真空系統(tǒng)采用分子泵機(jī)械泵系統(tǒng)以上是磁控濺射鍍膜機(jī)的詳細(xì)信息，如果您對(duì)磁控濺射鍍膜機(jī)的價(jià)格、廠家、型號(hào)、圖片有什么疑問(wèn)，請(qǐng)聯(lián)系我們獲取磁控濺射鍍膜機(jī)的新信息。
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