| 品牌 | McBain | 型號 | DDR200 |
| 測量范圍 | 900-1700nm | 測量 | 200-300 |
| 外形尺寸 | -（mm） | 用途 | 硅晶片內(nèi)部檢測儀 |
硅晶片近內(nèi)部檢測分析儀 (美國)
DDR200和DDR300的200毫米和300毫米晶圓缺陷檢測和審核，在這個的價值和應(yīng)用和價格的分類特征擬的。該系統(tǒng)提供生產(chǎn)和工程用重要和的優(yōu)勢，并提供一個理想的解決方案，當(dāng)兩個缺陷的檢測和尺寸測量是需的。它們可以作為的生產(chǎn)工具或通用流程開發(fā)工具。
主要特點
•200mm或300mm的XY平臺
•高爐/東風(fēng)（標(biāo)準(zhǔn)），Nomarski（可選），紫外和紅外版本
•缺陷檢測，分類和審查（審查只可選）•反射光（標(biāo)準(zhǔn)），光的面具檢查（可選）
•視頻自動對焦（標(biāo)準(zhǔn)），激光自動對焦（可選）
•桿/螺母通用驅(qū)動交叉滾子軸承的階段，或
•線性馬達(dá)平臺
•單色或彩色的500萬像素數(shù)碼相機(jī)
•晶圓和掩膜裝可供選擇
•標(biāo)準(zhǔn)工作距離，工作距離長和長工作距離目標(biāo)
•2倍，5倍，10倍，20倍，50倍，100倍，150倍， 200倍的目標(biāo)（20倍放大至2000x）
•6英寸垂直行程
•手動或電動的X，Y，Z和Theta軸選項
請與我聯(lián)系陳先生
