| 品牌 | McBain | 型號 | DDR200 |
| 測量范圍 | 900-1700nm | 測量 | 200-300 |
| 外形尺寸 | -(mm) | 用途 | 硅晶片內(nèi)部檢測儀 |
硅晶片近內(nèi)部檢測分析儀 (美國)
DDR200和DDR300的200毫米和300毫米晶圓缺陷檢測和審核,在這個的價值和應(yīng)用和價格的分類特征擬的。該系統(tǒng)提供生產(chǎn)和工程用重要和的優(yōu)勢,并提供一個理想的解決方案,當(dāng)兩個缺陷的檢測和尺寸測量是需的。它們可以作為的生產(chǎn)工具或通用流程開發(fā)工具。
主要特點
•200mm或300mm的XY平臺
•高爐/東風(fēng)(標(biāo)準(zhǔn)),Nomarski(可選),紫外和紅外版本
•缺陷檢測,分類和審查(審查只可選)•反射光(標(biāo)準(zhǔn)),光的面具檢查(可選)
•視頻自動對焦(標(biāo)準(zhǔn)),激光自動對焦(可選)
•桿/螺母通用驅(qū)動交叉滾子軸承的階段,或
•線性馬達(dá)平臺
•單色或彩色的500萬像素數(shù)碼相機(jī)
•晶圓和掩膜裝可供選擇
•標(biāo)準(zhǔn)工作距離,工作距離長和長工作距離目標(biāo)
•2倍,5倍,10倍,20倍,50倍,100倍,150倍, 200倍的目標(biāo)(20倍放大至2000x)
•6英寸垂直行程
•手動或電動的X,Y,Z和Theta軸選項
請與我聯(lián)系陳先生





