斯納達(dá)擁有完整的植球工藝，特別是對(duì)TI系列PAD內(nèi)凹封裝芯片植球有獨(dú)到的工藝，如4430FCB13(OMAP4430) X4460BCBS(OMAP4460)等MP4CPU芯片，完美地解決了小間距POP芯片植球難題，目前在國內(nèi)外處在地位。

植球工藝寶典：
　　A、步，要分清IC是有鉛還是無鉛工藝，否則IC污染后達(dá)不到RoHS要求，造成的后果極為嚴(yán)重；
　　B、第二步，植球前要做好烘烤，IC的封裝材料一般為塑料或陶瓷，在室溫下容易吸潮，如果在植球前沒有烘烤，極易導(dǎo)致IC分層損壞芯片，行業(yè)俗稱“爆米花”現(xiàn)象；
　　C、植球后，焊接要根據(jù)錫球的化學(xué)成份，設(shè)置好相應(yīng)的溫度，否則容易造成植球不牢、不直、球不圓等不良現(xiàn)象；
　　3.1、有鉛錫球（Sn63Pb37，錫63%鉛37%）熔點(diǎn)183℃。
　　3.2、無鉛錫球（Sn96.5AG3Cu0.5，錫96.5%銀3%銅0.5%）熔點(diǎn)217℃。
　　D、植好球的IC一般要做短時(shí)間的烘烤，以去除IC表面吸附的濕汽，烘烤完成后要及時(shí)放入防潮箱、真空包裝或卷帶包裝，以免回潮導(dǎo)致IC貼裝時(shí)分層損壞IC；
　　
　　注意事項(xiàng)：用風(fēng)槍直接加熱時(shí)，注意調(diào)整風(fēng)槍溫度，首先要對(duì)鋼網(wǎng)整面均勻加熱。否則會(huì)造成鋼網(wǎng)變形，影響植球質(zhì)量。

BGA返修治具(刮錫植球工藝)
產(chǎn)品特點(diǎn)：
1.高CNC加工,使芯片定位精準(zhǔn)；
2.激光鋼網(wǎng),孔徑更加精密,不會(huì)有大小孔,卡球擠球的現(xiàn)象；
3.上蓋帶一個(gè)錫球倒出槽，該結(jié)構(gòu)方便將上蓋內(nèi)多余的錫球倒出；
4.上蓋內(nèi)部還有一個(gè)錫球儲(chǔ)存室，該結(jié)構(gòu)使倒入的多余錫球不必每次都倒出來，而是儲(chǔ)存在該結(jié)構(gòu)中，提高了生產(chǎn)效率；
5.外觀設(shè)計(jì)大方，多年的從業(yè)經(jīng)驗(yàn)，結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理；
6.產(chǎn)品，8項(xiàng)保護(hù)(號(hào).9)；