實驗室純水設備,去離子水設備,高純水機
硅是地球上儲藏豐富的材料之一，從19世紀科學家們發現了晶體硅的半導體特性后，它幾乎改變了，甚至的思維。直到上世紀60年始，硅材料就取代了原有鍺材料。硅材料――因其具有和輻射性能較好，適宜制作大功率器件的特性而成為應用多的一種半導體材料，目前的集成電路半導體器件大多數是用硅材料制造的。
現在，我們的生活中處處可見“硅”的身影和作用，晶體硅太陽能電池是近15年來形成產業化快的。
熔融的單質硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結合起來便結晶成單晶硅。
單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無定形硅，然后用直拉法或懸浮區熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。
單晶硅棒是生產單晶硅片的原材料，隨著國內和國際市場對單晶硅片需求量的快速增加，單晶硅棒的市場需求也呈快速的趨勢。
單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片對材料和技術的要求也越高。單晶硅按晶體生長方法的不同，分為直拉法（CZ）、區熔法（FZ）和外延法。直拉法、區熔法生長單晶硅棒材，外延法生長單晶硅薄膜。直拉法生長的單晶硅主要用于半導體集成電路、二管、外延片襯底、太陽能電池。目前晶體直徑可控制在Φ3~8英寸。區熔法單晶主要用于高壓大功率可控整流器件領域，廣泛用于大功率輸變電、電力機車、整流、變頻、機電一體化、燈、電視機等系列產品。目前晶體直徑可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成電路領域。
由于成本和性能的原因，直拉法（CZ）單晶硅材料應用廣。在IC工業中所用的材料主要是CZ拋光片和外延片。存儲器電路通常使用CZ拋光片，因成本較低。邏輯電路一般使用價格較高的外延片，因其在IC制造中有更好的適用性并具有消除Latch－up的能力。
單晶硅也稱硅單晶，是電子信息材料中基礎性材料，屬半導體材料類。單晶硅已滲透到國民經濟和國科技中各個領域，當今過2000億美元的電子通信半導體市場中95%以上的半導體器件及99%以上的集成電路用硅。
多晶硅是由許多硅原子及許多小的晶粒組合而成的硅晶體。由于各個晶粒的排列方向彼此不同，其中有大量的缺陷。多晶硅一般呈深銀灰色，不透明，具有金屬光澤，性脆，常溫下不活潑。
多晶硅是用金屬硅(工業硅)經化學反應、提純,再還原得到的高純度材料(也叫還原硅)。目前世界上多晶硅生產的方法主要有改良西門子法(SiHCl3)、新硅烷法(SiH4)、SiH2Cl2熱分解法、SiCl4法等多晶硅生產工藝。
當前多晶硅的市場狀況是：從國際上來看，早幾年多晶硅還處于供過于求的局面，2004年開始，由于太陽能產業的發展，太陽能用多晶硅供不應求，導致多晶硅供應緊張。在國內，我國多晶硅生產長期不能滿足國內市場需要，嚴重依賴于。
中怡公司是單晶硅和多晶硅生產工藝用純水設備的生產廠商，單晶硅純水設備的具體參數如下：
工業純水處理：
RO＋CEDI＋S
設備處力：按客戶要求設計
出水指標：≥16-18.2MΩ．CM
產水用途：電子、等行業用工業純水
反滲透＋EDI
設備處力：按客戶要求設計
出水指標：≥16-.18.2MΩ．CM
產水用途：電子、單晶硅/多晶硅用工業純水、純水
反滲透（膜分離法）純水分離技術
反滲透是用的壓力使溶液中的溶劑（一般指水）通過反滲透膜（一種半透膜）而分離出來，方向與滲透方向相反，可使用大于滲透壓的反滲透法進行分離、提純和濃縮溶液。反滲透膜的主要分離對象是溶液中的離子范圍
反滲透分離過程有如下優點：
①不需加熱，沒有相變
②能耗少，過程連續穩定
③設備體積小、操作簡單、適應
④對環境
反滲透純水系統根據不同的源水水質采用不同的工藝，一般自來水經反滲透處理后，產水電導率＜10～20us/cm，經二級反滲透處理后＜5us/cm，甚至更低，在反滲透系統后輔以離子交換設備或EDI設備可以制備純水，使電阻率18.2兆歐姆.厘米。
