光伏/科研通用兩種應(yīng)用選擇
　　HG-EM激光橢偏儀是針對(duì)光伏太陽(yáng)能電池高端研發(fā)和質(zhì)量控制領(lǐng)域推出的型多入射角激光橢偏儀。可廣泛應(yīng)用于晶體硅太陽(yáng)電池、薄膜太陽(yáng)電池等。
　　HG-EM激光橢偏儀用于測(cè)量絨面單晶硅或多晶硅太陽(yáng)電池表面減反膜鍍層的厚度以及在632.8nm下的折射率n.也可測(cè)量光滑平面材料上的單層或多層納米薄膜的膜層厚度，以及在632.8nm下折射率n和消光系數(shù)k.典型納米膜層包括SiNx，ITO，TiO2，SiO2，A12O3，HfO2等。應(yīng)用領(lǐng)域包括半導(dǎo)體、微電子、平板顯示等。
　　
　　HG-EM激光橢偏儀融合多項(xiàng)科技技術(shù)，采用一體化樣品臺(tái)技術(shù)，兼容測(cè)量單晶和多晶太陽(yáng)電池樣品，并實(shí)現(xiàn)二者的輕松轉(zhuǎn)換。一鍵式多線程操作軟件，使得儀器操作簡(jiǎn)單。
　　特點(diǎn)：
　　？  粗糙絨面納米薄膜的高靈敏測(cè)量
　　？  原子層量級(jí)的高靈敏度和準(zhǔn)確度
　　？  百毫秒量級(jí)的快速測(cè)量
　　？  簡(jiǎn)單方便的儀器操作
　　？  一鍵式操作
　　技術(shù)指標(biāo)：
　　項(xiàng)目  技術(shù)指標(biāo)
　　儀器型號(hào)  HG-EM激光橢偏儀
　　激光波長(zhǎng)  632.8nm（He-Ne　Laser）
　　膜層厚度（1）  0.01nm（對(duì)于平面Si基底上100nm的SiO2膜層）
　　  0.03nm（對(duì)于絨面Si基底上80nm的Si3N4膜層）
　　折射率（1）  1x10-4（對(duì)于平面Si基底上100nm的SiO2膜層）
　　  3x10-4（對(duì)于絨面Si基底上80nm的Si3N4膜層）
　　單次測(cè)量時(shí)間  與測(cè)量設(shè)置相關(guān)，典型0.6s
　　結(jié)構(gòu)  PSCA（Δ在0°或180°附近時(shí)也具有高的準(zhǔn)確度）
　　激光光束直徑  1mm
　　入射角度  40°-90°可手動(dòng)調(diào)節(jié)，步進(jìn)5°
　　樣品方位調(diào)整  一體化樣品臺(tái)輕松變換可測(cè)量單晶或多晶樣品；
　　  可測(cè)量156*156mm電池樣品上每個(gè)點(diǎn)
　　  Z軸高度調(diào)節(jié)：±6.5mm
　　  二維俯仰調(diào)節(jié)：±4°
　　  樣品對(duì)準(zhǔn)：光學(xué)自準(zhǔn)直顯微和望遠(yuǎn)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)
　　樣品臺(tái)尺寸  平面樣品直徑可達(dá)Φ170mm
　　  兼容125*125mm和156*156mm的太陽(yáng)能電池樣品
　　的膜層測(cè)量范圍  粗糙表面樣品：與絨面物理結(jié)構(gòu)及材料性質(zhì)相關(guān)
　　  光滑平面樣品：透明薄膜可達(dá)4000nm，吸收薄膜與材料性質(zhì)相關(guān)
　　外形尺寸（長(zhǎng)x寬x高）  887　x　332　x　552mm（入射角為90o時(shí)）
　　儀器重量（凈重）  25Kg
　　選配件  水平XY軸調(diào)節(jié)平移臺(tái)
　　  真空吸附泵
　　軟件  
　　  ？中英文界面可選
　　  ？太陽(yáng)能電池樣品預(yù)設(shè)項(xiàng)目供快捷操作使用
　　  ？單角度測(cè)量/多角度測(cè)量操作和數(shù)據(jù)擬合
　　  ？方便的數(shù)據(jù)顯示、編輯和輸出
　　  ？豐富的模型和材料數(shù)據(jù)庫(kù)支持
　　注：（1）：是指對(duì)標(biāo)準(zhǔn)樣品上同一點(diǎn)、同一條件下連續(xù)測(cè)量30次所計(jì)算的標(biāo)準(zhǔn)差。