紫外線傳感器有直插DIP和貼片SMD兩種封裝,貼片式紫外線傳感器是一種P-N異質節光電二管,是基于氮化鎵寬禁帶半導體材料制備而成的。氮化鎵的禁帶寬度約為3.4電子伏,它不吸收可見光。氮化鎵半導體紫外線傳感器具有很強的可見光干擾特性,在檢測紫外線傳感器時不需附加濾光片來抑制可見光。UV紫外線傳感器在受到紫外線照射后能產生的電壓輸出信號,并且輸出電壓信號與紫外線照射強度成遞增關系,因此該紫外線傳感器可用于戶外紫外線強度定性測量,也可用于一些紫外線發生產品的發光效率定性檢驗。

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紫外線傳感器有直插DIP和貼片SMD兩種封裝,貼片式紫外線傳感器是一種P-N異質節光電二管,是基于氮化鎵寬禁帶半導體材料制備而成的。氮化鎵的禁帶寬度約為3.4電子伏,它不吸收可見光。氮化鎵半導體紫外線傳感器具有很強的可見光干擾特性,在檢測紫外線傳感器時不需附加濾光片來抑制可見光。UV紫外線傳感器在受到紫外線照射后能產生的電壓輸出信號,并且輸出電壓信號與紫外線照射強度成遞增關系,因此該紫外線傳感器可用于戶外紫外線強度定性測量,也可用于一些紫外線發生產品的發光效率定性檢驗。