DFT-DC800型多晶硅過程氣體分析系統
　　多晶硅尾氣各主要成分的體積分數分別為，HCl 30%；H2 64.2%；SIHCl3 5.4%；其他0.2%。多晶硅尾氣均為可回收的產品或可循環使用的原料。對尾氣進行的治理，不可以原料的利用率，還可以降低三廢的排放量。為了合理治理尾氣，須根據尾氣的特性、成分、壓力等，選擇適當的工藝流程和技術條件。
　　DFT-DC800型多晶硅過程氣體分析系統可連續監測工業硅提純的三氯氫硅氫還原工藝中氫氣的氧含量和微水含量以及在尾氣管道保護氣氮氣的氧含量和微水含量，從而后提煉純硅的品質。
　　島京公司采用變壓吸附工藝，性去除雜質，分析效果準確性。預處理單元中利用吸附劑吸附雜質組分的能力遠強于吸附氫氣能力，可以將混合氣體中的氫氣提純。本系統根據我國多晶硅生產線中高塵、高腐蝕的惡劣工況條件。

　　系統特點
　　1.取樣系統為可插拔式探頭，方便更換濾芯
　　2.過濾器可過粉塵和硅粉，過濾為0.1μm
　　3.大屏幕現場就地顯示
　　4.系統自動標定，無須人工校驗；
　　5.主機采用純檢測元件；
　　6.系統兼容大
　　7.手自動一體，故障自檢；
　　技術參數
　　1）型號：DFT-DC800
　　2）輸出：4-20 mA、RS232或485
　　3）響應時間：T90<15s
　　4）工作溫度：-20º~＋60º
　　5）電源：24 VDC
　　6）護等級：IP65
　　7）系統部件：316L不銹鋼
　　8）爆標準：合EEx ia IIC T4

　　微水分析儀：
　　a.測量范圍：-100~＋20º
　　b.：＋20~-60º范圍內為&plun;1º
　　c.-60~-100º范圍內為&plun;2º
　　d.工作壓力：真空~40 MPa
　　e.計量單位：PPmW，℃
　　f.爆標準：非現場顯示型合EEx ia IIC T4
　　g.現場顯示型合EEXd IIB T4
　　
　　氧含量分析儀：
　　h.測量范圍：0/10/100PPm 1/10/25%
　　i.：<1%FS
　　j.計量單位：PPmW，%
　　k.大氣壓力影響：大氣壓力影響：每變化1毫米汞柱讀數變化&plun;0.13%
　　l.爆標準：NEC/CEC Cl I，II，III，Division 1
　　GroupsA，B，C，D，E，F，G；
　　CENELEC Eex ia II c T4（60℃）BASEEFA Ceet.Nos.
　　Ex96D2442 and Ex 96D2444