IRF3205 概述

　　IR的HEXFET功率場(chǎng)效應(yīng)管IRF3205采用的工藝技術(shù)制造，具有低的導(dǎo)通阻。IRF3205這種特性，加上快速的轉(zhuǎn)換速率，和以堅(jiān)固耐用著稱的HEXFET設(shè)計(jì)，使得IRF3205成為其、應(yīng)用范圍廣的器件。
　　TO-220封裝的IRF3205普遍適用于功耗在50W左右的工商業(yè)應(yīng)用，低熱阻和的TO-220封裝，使IRF3205得到業(yè)內(nèi)的普遍。D2Pak封裝的IRF3205適用于貼片安裝，比起現(xiàn)有的任何其他貼片封裝，可說是功率，導(dǎo)通阻。TO-262是IRF3205的通孔安裝版，適合較低端的應(yīng)用。

IRF3205 參數(shù) IRF3205 基本參數(shù) VDSS   55 V ID@25℃   98 A RDS(on)Max   8.0 mΩ IRF3205 其他特性 FET性   N型溝道 Qg T   97.3 nC IRF3205 封裝與引腳 TO-220AB, TO-263, TO-262

IRF3205 特性

• 的工藝技術(shù)
• 貼片安裝（IRF3205S）
• 低端通孔安裝（IRF3205L）
• 導(dǎo)通阻
• 動(dòng)態(tài)dv/dt率
• 175℃工作溫度
• 快速轉(zhuǎn)換速率
• 無鉛