二次離子質譜概述

u  能量的離子打到固體表面會引起表面原子、分子或原子團的二次發射，即離子濺射。濺射的粒子一般以中性為主，其中有一部分帶有正、負電荷，這就是二次離子。利用質量分析器接收分析二次離子就得到二次離子質譜。根據濺射的二次離子信號，可對被轟擊樣品的表面和內部元素及分布特征進行分析。

u  二次離子質譜儀主要用于材料學（半導體、薄層、緣材料等）、地質空間學、天體化學、環境微生物學和細胞學。

u  主要功能：

               質譜分析-表面微區元素組成

               痕量元素深度剖析

               二次離子成像及顯微圖像分布（2＆3D）

               穩定同位素豐度比

               放射性顆粒分析

               地質定年

大型二次離子質譜 IMS 1280-HR

u  針對地質領域和環境科學分析專門而設計、注重原位分析

u  具有的靈敏度

u  U-Pb地質學定年、穩定同位素分析、痕量元素以及放射性顆粒分析的水平分析儀器

     K/Ca dating: MR>30,000 (monocollection)

     Rb/Sr dating: MR>20,000-40,000(monocollection)

     Mg & metal isoe ratios: MR>5000(multicollection)

     Li-U區間元素快高度同位素豐度比測量

大型二次離子質譜性能優勢

u  靈活多用的多接受系統，尤其適于用于同位素分析。

u  兩種具有反應的的離子源，在數據采集的同時可對其進行監控。

u  具有高度再現能力的樣品臺。

u  NMR高分辨磁場控制。

u  的圖像功能。

u  計算機化自動工作，可遠程監控。

u  通過加入一個新的六靴，對耦合進行了重新設計，減少了軸上二次畸變。

u  多接受模式下，峰形得到很大的。

u  優化了真空以降低背底，有利于探測輕元素，氫化物。