深圳市龍翔電子有限公司生產(chǎn)銷售的場效應管主要可用于電子電路,是在音響領域更占一席之地,場效應管與晶體管不同,它是一種電壓控制器件(晶體管是電流控制器件),其特性更象電子管,它具有很高的輸入阻,較大的功率增益,由于是電壓控制器件所以噪聲小.場效應管分結型、緣柵型(MOS)兩大類。按溝道材料型和緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；按導電方式：耗盡型與增強型，結型場效應管均為耗盡型，緣柵型場效應管既有耗盡型的，也有增強型的。場效應晶體管可分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管，而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。場效應管分為結型場效應管（JFET）和緣柵場效應管（MOS管）場效應管的主要作用:
1.場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻很高，因此耦合電容可以容量較小，不使用電解電容器。
2.場效應管很高的輸入阻適合作阻變換。常用于多級放大器的輸入級作阻變換。
3.場效應管可以用作可變電阻。
4.場效應管可以方便地用作恒流源。
5.場效應管可以用作電子開關。
場效應管的工作原理如下:
場效應管工作原理用一句話說，就是“漏-源間流經(jīng)溝道的ID，用以門與溝道間的pn結形成的反偏的門電壓控制ID”。更正確地說，ID流經(jīng)通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產(chǎn)生耗盡層擴展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域，表示的過渡層的擴展因為不很
大，根據(jù)漏-源間所加VDS的電場，源區(qū)域的某些電子被漏拉去，即從漏向源有電流ID流動。從門向漏擴展的過度層將溝道的一部分構成堵塞型，ID飽和。將這種狀態(tài)稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷。
在過渡層由于沒有電子、空穴的自由移動，在理想狀態(tài)下幾乎具有緣特性，通常電流也難流動。但是此時漏-源間的電場，實際上是兩個過渡層接觸漏與門下部附近，由于漂移電場拉去的電子通過過渡層。因漂移電場的強度幾乎不變產(chǎn)生ID的飽和現(xiàn)象。其次，VGS向負的方向變化，讓VGS=VGS(off)，此時過渡層大致成為覆蓋全區(qū)域的狀態(tài)。而且VDS的電場大部分加到過渡層上，將電子拉向漂移方向的電場，只有靠近源的很短部分，這更使電流不能流通。
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