MOS場(chǎng)效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，英文縮寫(xiě)為MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），屬于緣柵型。 　　MOS場(chǎng)效應(yīng)管主要特點(diǎn)：　　在金屬柵與溝道之間有一層二氧化硅緣層，因此具有很高的輸入電阻（可達(dá)1015Ω）。它也分N溝道管和P溝道管，號(hào)如圖所示。通常是將襯底（基板）與源S接在一起。 　　MOS場(chǎng)效應(yīng)管分類：　　根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。所謂增強(qiáng)型是指：當(dāng)VGS=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài)，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵，從而“增強(qiáng)”了該區(qū)域的載流子，形成導(dǎo)電溝道。耗盡型則是指，當(dāng)VGS=0時(shí)即形成溝道，加上正確的VGS時(shí)，能使多數(shù)載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉(zhuǎn)向截止。 　　以N溝道為例，它是在P型硅襯底上制成兩個(gè)高摻雜濃度的源擴(kuò)散區(qū)N+和漏擴(kuò)散區(qū)N+，再分別引出源S和漏D。源與襯底在內(nèi)部連通，二者總保持等電位。圖（a）號(hào)中的前頭方向是從外向電，表示從P型材料（襯底）指身N型溝道。當(dāng)漏接電源正，源接電源負(fù)并使VGS=0時(shí)，溝道電流（即漏電流）ID=0。隨著VGS逐漸升高，受柵正電壓的吸引，在兩個(gè)擴(kuò)散區(qū)之間就感應(yīng)出帶負(fù)電的少數(shù)載流子，形成從漏到源的N型溝道，當(dāng)VGS大于管子的開(kāi)啟電壓VTN（一般約為+2V）時(shí)，N溝道管開(kāi)始導(dǎo)通，形成漏電流ID。 　　國(guó)產(chǎn)N溝道MOSFET的典型產(chǎn)品有3DO1、3DO2、3DO4（以上均為單柵管），4DO1（雙柵管）。它們的管腳排列（底視圖）見(jiàn)圖。 　　MOS場(chǎng)效應(yīng)管比較“嬌氣”。這是由于它的輸入電阻很高，而柵-源間電容又小，易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電，而少量電荷就可在間電容上形成相當(dāng)高的電壓（U=Q/C），將管子損壞。因此了廠時(shí)各管腳都絞合在一起，或裝在金屬箔內(nèi)，使G與S呈等電位，積累靜電荷。管子不用時(shí)，引線也應(yīng)短接。在測(cè)量時(shí)應(yīng)格外小心，并采取相應(yīng)的靜電感措施。