場效應管大，根據(jù)漏-源間所加VDS的電場，源區(qū)域的某些電子被漏拉去，即從漏向源有電流ID流動。從門向漏擴展的過度層將溝道的一部分構成堵塞型，ID飽和。將這種狀態(tài)稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷。
　　在過渡層由于沒有電子、空穴的自由移動，在理想狀態(tài)下幾乎具有緣特性，通常電流也難流動。但是此時漏-源間的電場，實際上是兩個過渡層接觸漏與門下部附近，由于漂移電場拉去的電子通過過渡層。因漂移電場的強度幾乎不變產(chǎn)生ID的飽和現(xiàn)象。其次，VGS向負的方向變化，讓VGS=VGS(off)，此時過渡層大致成為覆蓋全區(qū)域的狀態(tài)。而且VDS的電場大部分加到過渡層上，將電子拉向漂移方向的電場，只有靠近源的很短部分，這更使電流不能流通。