MOS場效應管即金屬-氧化物-半導體型場效應管，英文縮寫為MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），屬于緣柵型。 　　MOS場效應管主要特點：　　在金屬柵與溝道之間有一層二氧化硅緣層，因此具有很高的輸入電阻（可達1015Ω）。它也分N溝道管和P溝道管，號如圖所示。通常是將襯底（基板）與源S接在一起。 　　MOS場效應管分類：　　根據導電方式的不同，MOSFET又分增強型、耗盡型。所謂增強型是指：當VGS=0時管子是呈截止狀態，加上正確的VGS后，多數載流子被吸引到柵，從而“增強”了該區域的載流子，形成導電溝道。耗盡型則是指，當VGS=0時即形成溝道，加上正確的VGS時，能使多數載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉向截止。 　　以N溝道為例，它是在P型硅襯底上制成兩個高摻雜濃度的源擴散區N+和漏擴散區N+，再分別引出源S和漏D。源與襯底在內部連通，二者總保持等電位。圖（a）號中的前頭方向是從外向電，表示從P型材料（襯底）指身N型溝道。當漏接電源正，源接電源負并使VGS=0時，溝道電流（即漏電流）ID=0。隨著VGS逐漸升高，受柵正電壓的吸引，在兩個擴散區之間就感應出帶負電的少數載流子，形成從漏到源的N型溝道，當VGS大于管子的開啟電壓VTN（一般約為+2V）時，N溝道管開始導通，形成漏電流ID。 　　國產N溝道MOSFET的典型產品有3DO1、3DO2、3DO4（以上均為單柵管），4DO1（雙柵管）。它們的管腳排列（底視圖）見圖。 　　MOS場效應管比較“嬌氣”。這是由于它的輸入電阻很高，而柵-源間電容又小，易受外界電磁場或靜電的感應而帶電，而少量電荷就可在間電容上形成相當高的電壓（U=Q/C），將管子損壞。因此了廠時各管腳都絞合在一起，或裝在金屬箔內，使G與S呈等電位，積累靜電荷。管子不用時，引線也應短接。在測量時應格外小心，并采取相應的靜電感措施。