深圳晶博威電子有限公司主要經營MOS管批發,廣泛應用于新能源鋰電池平衡板、電動汽車、電動自行車、通訊、電動工具、LED照明、逆變器、電源、燈、家電等十幾個相關領域。晶博威電子本著誠信至上，服務周到，開拓進取的經營方針，憑借具有現貨，庫存量龐大，種類，價格實惠等優勢，發展成為的電子元器件制造企業。 眾所周知，由于采用了緣柵，功率MOSFET器件很小的驅動功率，且開關速度優異。可以說具有“理想開關”的特性。其主要缺點是開態電阻(RDS(on))和正溫度系數較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率MOSFET的特性，并為器件選擇提供指導。后，解釋了Microsemi公司Advanced Power Technology (ATP) MOSFET的數據表。 功率MOSFET結構 圖1為APT N型溝道功率MOSFET剖面圖(本文只討論N型溝道MOSFET)。在柵和源間加正壓，將從襯底抽取電子到柵。如果柵源電壓等于或者高于閾值電壓，柵下溝道區域將積累多的電子從而產生N型反型層；在襯底形成導電溝道(MOSFET被增強)。電子在溝道內沿任意方向流動。電子從源流向漏時，產生正向漏電流。溝道關斷時，正向漏電流被阻斷，襯底與漏之間的反偏PN結維持漏源之間的電勢差。對于N型MOSFET，正向導通時，只有電子流，沒有少子。開關速度受限于MOSFET內寄生電容的充電和放電速率。因此，開關速率可以很快，開關損耗很低。開關頻率很高時，這讓功率MOSFET具有很高的效率。 聯系人：夏先生 深圳市晶博威電子有限公司 地址：中國 廣東 深圳市福田區 中航路都會大廈A座10D