薄膜熱導率測試系統產品特點
不直接測量溫度變化，而是通過測量材料在導熱過程中溫度的變化轉換為的電信號的變化來實現微/納米薄膜材料的熱導率，微伏級電壓值，測量結果的高精準度。
采用交流電加熱方式，同時選擇并優化設計加熱電的形狀與尺寸，可加熱均勻性及測試應用的廣泛性、準確性與穩定性。
待測薄膜樣品金屬尺寸小，能減小黑體輻射引起的測量誤差。
友好的軟件界面。
薄膜熱導率測試系統測試實例
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| 不同溫度下，Si薄膜熱導率測試結果 | 不同溫度下，SiO2薄膜熱導率測試結果 |
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| 不同溫度下，GeTe/Bi2Te3晶格熱導率的變化 | 不同溫度下，GeTe/Bi2Te3晶格熱導率的變化 |
薄膜熱導率測試系統技術參數
型號 | T-HT |
溫度范圍 | RT-500K |
測試對象 | 半導體薄膜、導電薄膜、緣薄膜等 |
熱導率測量范圍 | 0.1-10W/(m·K)(可擴展至2000W/(m·K)) |
測試 （熱導率） | ±5%(在Si上測量)，±10%（其他） |
適合氛圍 | 真空 |
樣品尺寸 | 長 x 寬：(5-10)x(5-10)，單位mm,薄膜厚度≥100nm |
其他注意事項 | 測量導電薄膜時，需要沉積緣層（推薦：Sio2），薄膜表面要光滑，緣層不漏電；襯底熱導率要遠大于薄膜熱導率，推薦使用Si、AIN等高熱導襯底。 |
主機尺寸 | 710 x 600 x 490，單位mm |
重量 | 80kg |
薄膜熱導率測試系統技術原理
薄膜熱導率測試系統原理示意圖
本產品技術方案為3ω測試法，其主要原理為在待測薄膜材料表面淀積一層金屬電阻條，往金屬條兩端施加頻率為ω的電流，那么在焦耳熱的作用下該金屬條將產生頻率為2ω的溫升，由于金屬條一般表現出正電阻溫度系數，這將導致其電阻值也產生頻率為2ω的波動，這個頻率為2ω的電阻與頻率為ω的電流耦合將產生一個在頻率為3ω的小電壓信號V3ω。該小信號電壓的幅值與待測材料的熱導率有關，因而檢測該電壓信號后通過相關計算，就可求出待測材料的熱導率Ks。
