功率器件環境老化試驗儀
可測試 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs / SCRs 等器件的
HTRB(高溫反偏)、HTGB(高溫柵偏)、H3TRB(高溫高濕反偏)
該試驗系統是依據 GB/T 29332-2012/IEC60747-9:2007 標準要求對器件測試,將柵與發射短接,在集電與發射間加上設定的直流電壓,同時檢測直流電壓與漏電流的值。測試需有傳感器直接檢測 IGBT 模塊殼溫,并可通過軟件輸入模塊結殼熱阻,結合產生的耗散功率,當溫度與漏電流過設定值后,切斷電源,給出信號。此設備是電力電子器件環境老化測試的重要檢測設備,用于驗證長期穩定情況下器件的漏電流。系統**測試電壓5000V(可擴展至10KV)??梢詫崿F對IGBT器件集電-發射電壓Vce、集電發射電流Ices、殼溫Tc 、時間等各項參數的檢測,根據程序設定自動完成測試,記錄保存測試數據并且可以瀏覽和導出。
測試夾具采用氣動控制單面加熱型。工作時通過溫控儀和其他控制系統設定溫度和時間,具備自動檢測溫度、溫報警、壓報警、過流保護及連鎖、緊停等功能,異常時切斷主電源。












