高端芯片用光刻膠在線超高速膠體磨，氟化氪激光光刻膠超高速分散機，氟化氬激光光刻膠管線式膠體磨，極紫外光刻膠高剪切納米均質機，納米芯片膠均質機，KrF光刻膠均質機，ArF光刻膠均質機，EUV光刻膠分散機

從微觀層面看，光刻膠在芯片制造的光刻工藝中扮演著“模具”的角色。在光刻過程中，光刻膠均勻地涂覆在硅片表面，隨后通過特定波長的光線照射，使曝光區域的光刻膠發生化學變化。經過顯影等后續工序，jing確地在硅片上形成所需的電路圖案，其精度直接決定了芯片上晶體管等元件的尺寸和集成度。毫不夸張地說，沒有高質量的光刻膠，就無法制造出高性能、高集成度的芯片。

從宏觀產業層面而言，光刻膠的自主可控對于我國芯片產業的獨立發展意義非凡。長期以來，全球高端光刻膠市場被美日等少數國家的企業牢牢壟斷，我國芯片產業在光刻膠供應上高度依賴進口，這就像在產業發展道路上埋下了一顆“定時炸彈”。一旦國際形勢發生變化，供應中斷，我國芯片產業將面臨停滯的巨大風險。因此，這句話不僅是對光刻膠重要性的生動詮釋，更是對我國光刻膠企業的有力警醒，催促著它們加速構建自身的技術壁壘和市場優勢，堅定不移地打贏光刻膠國產化這場持久戰

上海依肯機械專注于研磨分散設備研發與生產，其生產的 CMSD2000 納米半導體材料高速研磨分散機等設備，適用于半導體光刻膠等物料的研磨，具有轉速高、研磨效果好等特點，設備通過皮帶傳動帶動轉齒與相配的定齒作相對的高速旋轉，被加工物料通過本身的重量或外部壓力加壓產生向下的螺旋沖擊力，透過膠體磨定、轉齒之間的間隙時受到強大的剪切力、摩擦力、高頻振動等物理作用，使物料被有效地乳化、分散和粉碎，達到物料超細粉碎及乳化的效果。設備轉速可達 14000rpm，是普通國產設備轉速的 4-5 倍，研磨分散效率高。可使物料粒徑達到 0.1-1 微米，粒徑分布范圍窄，勻度高，能滿足半導體光刻膠對研磨精度的高要求。此外，其具有短距離、低揚程輸送功能，且研磨過程中物料 100% 通過粉碎分散剪切，無死角，批次間生產的品質差異小。

依肯高端芯片用光刻膠在線超高速膠體磨設備轉速可達 14000rpm-21000rpm，是普通國產設備轉速的 4-5 倍，研磨分散效率高。可使物料粒徑達到納米，粒徑分布范圍窄，勻度高，能滿足半導體光刻膠對研磨精度的高要求。此外，其具有短距離、低揚程輸送功能，且研磨過程中物料 100% 通過粉碎分散剪切，無死角，批次間生產的品質差異小。

影響分散乳化結果的因素有以下幾點

1 分散頭的形式(批次式和連續式)(連續式比批次好)

2 分散頭的剪切速率(越大，效果越好)

3 分散頭的齒形結構(分為初齒，中齒，細齒，超細齒，約細齒效果越好)

4 物料在分散墻體的停留時間，乳化分散時間(可以看作同等的電機，流量越小，效果越好)

5 循環次數(越多，效果越好，到設備的期限，就不能再好)

線速度的計算

剪切速率的定義是兩表面之間液體層的相對速率。

剪切速率(s-1)=v速率(m/s)

9 定-轉子 間距(m)

由上可知，剪切速率取決于以下因素:

轉子的線速率

-在這種請況下兩表面間的距離為轉子-定子 間距。

IKN 定-轉子的間距范圍圍為0.2~0.4mm

速率V= 3.14XD(轉子直徑)X轉速 RPM/60

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