MOS管參數測試儀SC2015
一、產品簡介/特點：
MOS管參數測試儀SC2015主要用于中小電子產品企業對場效應管或IGBT的批量測量，篩選，非常適合來料檢驗使用。
1、采用高精度AD，滿足測量精度，而高速微處理器和電子開關，使測量工作迅速、高效、寧靜。采用國際先進脈沖測量法，可以提供10A~75A以上的測試電流，而不會使被測管子發熱。有自動均流功能，確保被測管安全。
2、有自檢功能、測量判斷功能以及故障報警指示功能，當不是Vmos管時或錯插等，測量不能繼續。在測量前后，測量插座柵源之間是短路狀態，以確保被測量管插入或拔出管座時的安全。
3、有20A~150A容量選擇，即便是選錯電流檔用大電流測量小容量管子，也不會損害被測管。
4、您可以按需要設定分選參數范圍。可設定的有：開啟電壓Ut、跨導Gfs、通態電阻Ron以及極間電容Cir的下限和上限。對于超限的測量，蜂鳴器會報警，并且哪個參數超限，會閃爍提示，用戶可以不大理會符合標準的參數具體數據，只在報警時注意閃爍的參數，這樣極大的方便了工業批量測量。
5、使用簡單，不需要專業知識。
6、規格尺寸240*350*130mm（寬*深*高），桌面小臺式結構，采用鋁合金冷拉型板為框架，支腳可調。
7、工作臺有TO220和3P插座，面板設有容量選擇，以及220/3P選擇，方便用戶使用。
二、性能指標：
1、測量VMOS管可同時顯示：
通態電阻Ron：1~999mΩ (超過999 mΩ時，自動轉為9.99Ω擋)
跨導Gfs：0~99.9S
耐壓Bv：0~1999V
開啟電壓Ut：0~12V
極間電容Cir：0.1~9.9 (np)
通態電流Id:0-129.9V
2、如果您需要，通過輔助功能鍵，還可以得到：
a、Cir 1% nP精度；
b、Ut 1%V 精度；
c、測量Ron時的： Ids(max A),Vds(min V)；
d、以及測量Ggs時：Ids(A),Vds(V),Vgs(V)；
3、10位LED顯示。
4、設備供電160V~230V 正常工作。
三、測試參數：
（1）二極管Diode
靜態參數：BVR/擊穿電壓、IR/漏電流、VF/正向壓降；
（2）三極管Transistor
靜態參數：BVCES/集射極擊穿電壓，VGE(th)/柵極開啟電壓 、ICES/集射極漏電流、VCESAT/飽和壓降
（2）場效應管MOSFET
靜態參數：BVDSS/漏源極擊穿電壓，Ut/開啟電壓，Ids/漏源極漏電流，Vf/二極管正向壓降；Ron/導通內阻，Gfs/跨導,Cir/極間電容
（3）晶體管IGBT
靜態參數：BVCES/集射極擊穿電壓，VGE(th)/柵極開啟電壓 、ICES/集射極漏電流、VF/二極管正向壓降；VCESAT/飽和壓降
應用領域：
電子廠的功率器件來料檢驗、器件廠的產品分選、電子產品研發的選型配對、電子產品維修檢驗等。
