所屬科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域：半導(dǎo)體分立器件測(cè)試
適用范圍：
BC3193分立器件參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)的測(cè)試對(duì)象是各種半導(dǎo)體分立器件（二管、整流橋、三管、場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅、IGBT、光電耦合器和達(dá)林頓矩陣等）。系統(tǒng)可用于上述器件生產(chǎn)過程中的半導(dǎo)體圓片測(cè)試，成品測(cè)試，出廠檢驗(yàn)；整機(jī)廠家的器件入廠檢驗(yàn)和質(zhì)量控制。
主要研究?jī)?nèi)容：
1) 系統(tǒng)接口；
2) 電壓/電流源(VIS)；
3) 高壓源（HVS）；
4) 測(cè)量板；
5) 測(cè)試臺(tái)矩陣板；
6) 系統(tǒng)電源；
7) 系統(tǒng)電源控制板；
8) 各種適配器。
技術(shù)點(diǎn)：
1、該測(cè)試系統(tǒng)的特點(diǎn)在于具有±1500V的高電壓和20A大電流的輸出能力；6.1pA的小電流測(cè)量分辨率；同時(shí)次采用了軟件實(shí)時(shí)補(bǔ)償方法來測(cè)試系統(tǒng)的；系統(tǒng)中使用的反饋技術(shù)使高壓擊穿參數(shù)測(cè)試穩(wěn)定。
2、BC3193測(cè)試系統(tǒng)，測(cè)試程序開發(fā)簡(jiǎn)單, 用戶方便易學(xué)。系統(tǒng)中通用儀器接口和相應(yīng)的自檢、校準(zhǔn)軟件，使用戶可以方便地校準(zhǔn)系統(tǒng)參數(shù)，跟蹤計(jì)量標(biāo)準(zhǔn)。 對(duì)科學(xué)技術(shù)進(jìn)步的推動(dòng)作用： 該產(chǎn)品產(chǎn)生了近200萬元銷售收入，社會(huì)效益顯著，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體分立器件自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)的空白，在軍事科研、航空、兵器等工業(yè)部門使用，可以替代國(guó)外同類產(chǎn)品，產(chǎn)生了較好的社會(huì)效益和經(jīng)濟(jì)效益。
測(cè)試系統(tǒng)用途及主要測(cè)試對(duì)象
測(cè)試系統(tǒng)可對(duì)半導(dǎo)體分立器件進(jìn)行測(cè)試，可測(cè)試的器件類型和參數(shù)項(xiàng)如下：
二管：BVR、IR、VF、VZ、RZ
三管： BVCBO、BVCEO、BVC、BVCER、BVEBO、HFE、ICBO、ICBS、ICEO、 IC、ICER、IEBO、VBEF、VBCF、VBAT、VCAT
可控硅：BVGKO、IAKF、IAKR、IGKO、IGT、IH、IL、VGT、VON
場(chǎng)效應(yīng)管： BVDSO、BVDSS、BVDSR、BVDGO、BVGDS、BVGSO、BVGSS、GFS、IDSO、IDSS、IDSR、IG、IGDO、IGSO、IGSS、RDS(on)、VDS(on)、VGS、VGS(th)、VP
IGBT：BVC、BVCGR、BVG、IC、IG、VCAT、VGETH、VGS(off)
光耦：R、BVECO、Tr、Tf、Toff、BVCBO、BVCEO、ICBO、ICEO、HFE、VBAT、VCAT、IR、IAKF、IAKR
達(dá)林頓矩陣：ICEX、 IIN(ON)、 IIN(Off)、 VIN(on)、 IR、VCAT、BVR、HFE、ICEO
單結(jié)晶體管：Iv、Vv、IP、VP、VEB1、ETA、RBB、IEB1O、IB2
光敏二、三管：ID、IL、VOC、ISC、BV、BVCE
固態(tài)繼電器：IFoff 、IFon、IR、Ioff 、Ion、RON 、Toff 、Ton、VF 、VR、Von
測(cè)試系統(tǒng)可對(duì)器件測(cè)試結(jié)果進(jìn)行存儲(chǔ)和打印。
測(cè)試原理合相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)、標(biāo)準(zhǔn)。
測(cè)試系統(tǒng)技術(shù)指標(biāo)
1. 電流/電壓源 VIS
1). 加壓(FV)
| 量 程 | 分辨率 | 精 度 |
| ±20V(±30V可選) | 610uV | ±0.1% 設(shè)定值±2mV |
| ±10V | 305uV | ±0.1% 設(shè)定值±2mV |
| ±2V | 61uV | ±0.1% 設(shè)定值±2mV |
2).加流(FI)：
| 量 程 | 分辨率 | 精 度 |
| ±20A(±40A可選) | 610uA | ±0.5% 設(shè)定值±50mA |
| ±2A | 61uA | ±0.2% 設(shè)定值±5mA |
| ±200mA | 6.1uA | ±0.1% 設(shè)定值±500uA |
| ±20mA | 610nA | ±0.1% 設(shè)定值±50uA |
| ±2mA | 61nA | ±0.1% 設(shè)定值±5uA |
| ±200uA | 6.1nA | ±0.1% 設(shè)定值±500nA |
| ±20uA | 610pA | ±0.2% 設(shè)定值±50nA |
| ±2uA | 61pA | ±0.5% 設(shè)定值±5nA |
2. 數(shù)據(jù)采集 VM
16位ADC，100K/S采樣速率。
1). 電流測(cè)量(MI)
| 量 程 | 分辨率 | 精 度 |
| ±10A | 305uA | ±0.5% 讀數(shù)值±20mA |
| ±2A | 61uA | ±0.2% 讀數(shù)值±5mA |
| ±200mA | 6.1uA | ±0.1% 讀數(shù)值±500uA |
| ±20mA | 610nA | ±0.1% 讀數(shù)值±50uA |
| ±2mA | 61nA | ±0.1% 讀數(shù)值±5uA |
| ±200uA | 6.1nA | ±0.1% 讀數(shù)值±500nA |
| ±20uA | 610pA | ±0.1% 讀數(shù)值±50nA |
| ±2uA | 61pA | ±0.2% 讀數(shù)值±5nA |
| ±200nA | 6.1pA | ±0.5% 讀數(shù)值±0.5nA |
2). 電壓測(cè)量(MV)
| 量 程 | 分辨率 | 精 度 |
| ±2000V | 61mV | ±0.5% 讀數(shù)值±200mV |
| ±100V | 3.05mV | ±0.2% 讀數(shù)值±20mV |
| ±20V | 610uV | ±0.1% 讀數(shù)值±10mV |
| ±10V | 305uV | ±0.1% 讀數(shù)值±10mV |
| ±2V | 61uV | ±0.1% 讀數(shù)值±2mV |
| ±200mV | 6.1uV | ±0.2% 讀數(shù)值±2mV |
3. 高壓源 HVS(基本) 16位DAC
| 量 程 | 分辨率 | 精 度 |
| ±2000V/5mA | 30.5mV | ±0.5% 設(shè)定值±500mV |
