T883B 靜電放電模擬器
(HBM/MM/CDM,0~±20kV)
二管、三管和IC的HBM/MM/CDM D測試
(電子元器件靜電放電敏感度分類試驗)
一、概述
二管、三管和集成電路等電子元器件靜電放電敏感度要用國際水平的T883靜電放電模擬器,它是是專門為測量元器件的靜電放電模擬器,它輸出電壓范圍寬(0~±20kV),高(1%),分辨率高(10V),其輸出電壓和波形合以下國際和標準:
美國標準MIL-STD-883E/F方法3015、MIL-STD-750 方法1020、MIL-PRP-19500、 MIL-PRP-38535
軍標G548A-97方法3015 微電子器件試驗方法和程序 靜電放電敏感度分類標準要求(等同于美國軍標MIL-STD-883E)
軍標G1649-93電子產器靜電放電控制大綱
軍標 G128A 半導體分立器件試驗方法 靜電放電敏感度分類
國際D協會標準ANSI/D STM 5.1-2001, ANSI/DSTM 5.2-2001,ANSI/D STM 5.3-2001
美國標準、MIL-STD-750和IEC747-1
T883B靜電放電模擬器,測試能力:2~2400pins 從二管、三管到各種IC,技術和器件從美國引進,使您不但能得到技術水平或國際水平的靜電放電模擬器,還能得到國際iNARTE(原美國NARTE)靜電與電磁兼容咨詢(Profsional EMC/D Consultant)提供的技術咨詢和技術支持,是國內外目前性能價格比和技術支持優的靜電放電模擬器。
二、技術指標
測試能力:2~2400pins 從各類(發光)二管、三管到各種IC,內置試驗板(IC ttboard)
放絡:
HBM MM CDM 合標準
儲能電容/
放電電阻R(注) 100 pF/1500 Ω (HBM) 200pF/0Ω (MM) DA/JEDECMIL/DA/JEDEC/JEITA
充電電阻(注): 106~107Ω
輸出電壓: 0 ~ ±20KV(標稱值)連續可調
模擬器內置4個級別試驗電壓
輸出電壓示值的容許偏差: <±1% (0~ ±20KV)
輸出電壓穩定性: 0.5% (24小時)
電壓顯示:3 1/2位發光管時顯示,電壓顯示分辨率:10V
輸出電壓性:正和負性(可帶電直接切換)
放電電流波形:
Tri(上升時間):小于10ns
Tdi(衰減時間):150±20ns
Ip(峰值電流):見表1中所選電壓等級對應的Ip±10%內
Ir(振蕩電流):小于Ip的15%,脈沖100ns后觀察不到
HBM MM CDM
(MIL-STD-883E和G548A-97 方法3015)
放電操作方式:手動單次放電,自動連續:1~10秒連續可調
工作環境: 溫度5-40℃;相對濕度20-80%,無凝露;氣壓68-106kPa
供電: AC85V~260V, 50/60Hz
(注)可根據用戶訂做其它模型如機器模型(MM)或其它要求模型的儲能電容、放電電阻和充電電阻要求的靜電放電模擬器
三、技術支持與服務:
本產品采用美國技術,中美國國際項目合作多年的新成果,優化電路設計和改進各國靜電發生器、關鍵器件,質量、幾十年的靜電儀器開發積累的經驗和技術,我們對T系列產品提供 的技術支持與優的服務:
保修叁年, 維修,維修周期2-7天,讓您使用放心;
提供每年在上海、北京和深圳的靜電技術培訓1人次 ; (見:近培訓活動)
提供相關標準GB和標準G的技術咨詢;
提供國外標準如IEC,DA, MIL相關標準的技術咨詢;
美國NARTE靜電長期提供相關技術咨詢,使您得到科學準確的技術支持,為您解決實際D問題,使您的產品能順利通過D試驗
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