產(chǎn)品品牌：

勤拳

產(chǎn)品型號：

MMS103/MMS101

概述 MMS103 是一款為高靈敏度、高速、低功耗、高應(yīng)用而開發(fā)的雙極鎖存磁傳感器，集成了TMR 和CMOS 技術(shù)。MMS103 采用高推挽半橋TMR 磁傳感器和CMOS 集成電路，包括TMR 電壓發(fā)生器，比較器，施密特觸發(fā)器和CMOS 輸出電路，能將變化的磁場信號轉(zhuǎn)化為數(shù)字電壓x 信號輸出。通過內(nèi)部電壓穩(wěn)壓器來提供溫度補(bǔ)償電源，并允許寬的工作電壓范圍。MMS103 低電壓工作、消耗電流低、響應(yīng)頻率高，微安級的電流消耗成為眾多低功耗應(yīng)用的理想選擇。(可完全替代韋根及微功耗霍爾） 產(chǎn)品特性 典型應(yīng)用 磁隧道結(jié) (TMR) 技術(shù) 三表（水表，氣表，熱量表） 雙極鎖存?zhèn)鞲衅? 流 量 計 磁場靈敏度：Bop=3.0mT 速度測量 工作電流：6uA@3V 電機(jī)旋轉(zhuǎn)位置 工作電壓：1.8V~5.5V 線性位移測量 響應(yīng)頻率：10 kHz ESD 性能：>4kV 管腳定義 TO-92 SOT23-3

管腳名	序號		功能
	TO‐92	SOT23‐3
OUTPUT	1	2	輸出
GND	2	3	地
VCC	3	1	電源

功能方框圖 額定值

參數(shù)	符號	額定值	單位
工作電壓	VDD	6	V
工作電流	IDD	20	uA
輸出電壓	VOUT	6	V
輸出電流	IOUT	30	mA
使用溫度	TA	‐40～125	℃
儲存溫度	TSTG	‐50～+170	℃
ESD 性能(HBM)	VESD	4	kV

性能參數(shù)(TA= +25℃)

參數(shù)	符號	條件	小值	典型值	值	單位
工作電壓	VDD		1.8	3.0	5.5	V
工作電流	IDD	VDD=3.0V		5		μA
輸出電流	IOUT			10		mA
輸出高電壓	VOL		VDD‐0.2			V
輸出低電壓	VOH				0.2	V
響應(yīng)頻率	F			10		KHz
使用溫度	TA	工作	‐40		125	°C

磁特性(VDD=3.0 V)

參數(shù)	符號	條件	小值	典型值	值	單位
工作點	BOP	TA=+25°C		3		mT
		全溫度范圍				mT
釋放點	BRP	TA=+25°C		-3		mT
		全溫度范圍				mT
回差	BH	TA=+25°C		6		mT
		全溫度范圍

輸出和磁場關(guān)系

參數(shù)	測試條件	輸出信號
南極磁場	B>Bop	低電平
北極磁場	B	高電平

磁場感應(yīng)反向 磁場強(qiáng)度 應(yīng)用信息 平行于TMR 傳感器的磁場超過工作點門限 Bop，MMS103 輸出低電平。當(dāng)TMR 傳感 器的磁場低于釋放點時，MMS103 輸出高 電平。磁場工作點和釋放點的差值就是傳 感器的回差Bh。 為了降低外部噪音，推薦在傳感器電源和 地之間增加一個濾波電容（靠近傳感器）。 如應(yīng)用電路圖所示，典型值為0.1uF。