- 品牌/商標：plasmatherm
- 企業類型：制造商
- 新舊程度：全新
- 原產地：美國
ICPPECVD HDPECVD 高密度等離子體增強化學氣相沉積 超低溫沉積
成熟的技術，龐大的裝機量，是VLSI（標準樣片公司）供應商。有單腔手動方片。性價比很高。特別適合高校和研究單位。
ICP-PECVD系統能夠沉積高質量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、類金剛石薄膜、硬質薄膜、光學薄膜和炭納米管（CNT）等。可選用射頻（RF）、空陰極高密度等離子體(HCD)源、感應耦合等離子體（ICP）源。該公司采用先進技術和穩定可靠的設計為您提供多方位的服務。
伴隨高品質的二氧化硅和氮化硅沉積速率，PECVD硬件進一步演變，相應的減少清機時間成本。
? ICP系統改善了刻蝕率和線寬操控功能。
? 增強了控制系統的基礎設施，具有更好的分析、可靠性和可維護性。
配置的系統，既可以作為獨立腔體模塊，也可以多腔配置。
“正常運行時間超過90%，這個數據證明了我們設備的技術和自動化在業內處于地位，”，“此新產品做到真正的改進，具有良好的均勻性，并在應用范圍內提供高產能程序。我們擁有6000多個工藝參數。
