合成方法:水平法(HB)
用 途:可用于發光二管(LED)、激光二管(LD)以及太陽能
電池 等領域砷化鎵單晶的生產。
砷化鎵多晶料性能指標 | ||
原料純度 | 6N 及以上 | |
導電類型 | N 型 | |
遷移率(cm2/V•s) | 2500~3500 | |
載流子濃度(cm-3) | 1.0×1016~1.0×1017 | |
產品外觀 | D 字形 | |
尺寸 | 約 60mm 寬× 45mm 高× 330mm 長 | |
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13810504825

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合成方法:水平法(HB)
用 途:可用于發光二管(LED)、激光二管(LD)以及太陽能
電池 等領域砷化鎵單晶的生產。
砷化鎵多晶料性能指標 | ||
原料純度 | 6N 及以上 | |
導電類型 | N 型 | |
遷移率(cm2/V•s) | 2500~3500 | |
載流子濃度(cm-3) | 1.0×1016~1.0×1017 | |
產品外觀 | D 字形 | |
尺寸 | 約 60mm 寬× 45mm 高× 330mm 長 | |