特點和優勢：
　　（1）不受背景氣體的影響
　　（2）不受粉塵與視窗污染的影響
　　（3）自動修正溫度，壓力對測量的影響產品詳細信息激光分析儀產品介紹
　　
　　一、半導體激光光譜吸收技術基本原理
　　
　　半導體激光光譜吸收技術（diode laser absorption spectroscopy，DLAS）早于20世紀70年代提出。初期的DLAS技術只是一種實驗室研究用技術，隨著半導體激光技術在20世紀80年代的發展，DLAS技術開始被推廣應用于大氣研究、環境監測、診斷和航空航天等領域。是20世紀90年代以來，基于DLAS技術的現場在線分析儀表已逐漸發展成為熟，與非色散紅外、電化學、色譜等傳統工業過程分析儀表相比，具有可以實現現場原位測量、無需采樣和預處理系統、測量準確、響應、維護工作量小等顯著優勢，在工業過程分析和污染源監測領域發揮著越來越重要的作用。
　　
　　1.朗伯-比爾定律
　　
　　DLAS技術本質上是一種光譜吸收技術，通過分析激光被氣體的選擇性吸收來獲得氣體的濃度。它與傳統紅外光譜吸收技術的不同之處在于，半導體激光光譜寬度遠小于氣體吸收譜線的展寬。因此，DLAS技術是一種高分辨率的光譜吸收技術，半導體激光穿過被測氣體的光強衰減可用朗伯-比爾（Lambert-Beer）定律表述
　　
　　式中，IV，0和IV 分別表示頻率V的激光入射時和經過壓力P，濃度X和光程L的氣體后的光強；S（T）表示氣體吸收譜線的強度；線性函數g（v-v0）表征該吸收譜線的形狀。通常情況下氣體的吸收較小，可用式（4-2）來近似表達氣體的吸收。這些關系式表明氣體濃度越高，對光的衰減也越大。因此，可通過測量氣體對激光的衰減來測量氣體的濃度。
　　
　　2.光譜線的線強
　　
　　氣體分子的吸收總是和分子內部從態到態的能級躍遷相聯系的。線強S（T）反映了躍遷過程中受激吸收、受激輻射和自發輻射之間強度的凈效果，是吸收光譜譜線基本的屬性，由能級間躍遷概率經及處于上下能級的分子數目決定。分子在不同能級之間的分布受溫度的影響，因此光譜線的線強也與溫度相關。如果知道參考線強S（T0），其他溫度下的線強可以由下式求出式中，Q（T）為分子的配分函數；h為普朗克常數；c為；k為波爾茲曼常數；En為下能級能量。各種氣體的吸收譜線的線強S（T0）可以查閱相關的光譜數據庫。
　　
　　JNYQ-G-8X為系列產品，根據應用要求不同，主要有以下幾種組態型號：
　　JNYQ-G-81（原位型）
　　激光原位測量，響應速度快，測量高
　　集成式正壓爆設計，
　　模塊化設計，可現場更換功能模塊，維護方便
　　智能化程度高、操作方便
　　JNYQ-G-82（旁路型）
　　激光旁路測量，測量高，干擾能力強
　　光學非接觸測量，可直接測量高溫、強腐蝕性氣體
　　旁路處理裝置簡單、，可直接安裝在過程管道處
　　全系統爆，支持氣體溫度、壓力自動補償
　　JNYQ-G-83（分布型）
　　分布式激光測量，支持八個測量通道，比
　　測量通道激光測量模塊，性高
　　網絡化集中顯示和控制，監控方便