一。特點:
◆高頻加熱、升溫快、。
◆可分別設定預氧化、熔融溫度和時間。
◆采用低電壓加熱,實時控溫,更加。
◆全自動微機控制,自動成形,自動剝離,操作簡便。
◆可同時搖動與自旋,熔融體形成渦流,制樣更均勻。
◆可設定、存儲多種不同的熔融制樣方式(多可達12種)。
◆,比電子管高頻可省電三分之二。
◆具有水流、水壓、過電流保護功能。
◆具有排煙功能,保護了工作環境。
二。主要規格和技術指標:
型號 T1-C T2-C
熔樣頭單頭雙頭
振蕩器半導體半導體
消耗功率<3KW<5KW
輸出振蕩頻率 30~100kHz
輸出振蕩功率<2.5 KW<5KW
預氧化溫度 500~1000℃可調
預氧化時間 0~5分鐘可調
熔融溫度 1000~1300℃可調
熔融時間 4~8分鐘可調
冷卻時間 2分鐘
單個樣品熔樣時間(總)約8分鐘
控溫≤&plun;2℃
樣式臺式
電源單相220V,50-60Hz,30A 單相220V,50-60Hz,40A
接地條件單獨10Ω以下
鉑金合金坩堝底直徑≥32mm
冷卻水條件:
a.壓力:0.1MPa~0.3MPa
b.流量:2~5升/分
c.水溫:5~30℃
d.進水口徑:φ10.5mm(2個)
e.出水口徑:φ10.5mm(2個)
外形尺寸(長X寬X高)70X55X73 cm 90X100X165cm(含循環水)
重量 80kg 150kg







