產品種類:MOSFET
晶體管性:N-Channel
汲源擊穿電壓:30V
閘源擊穿電壓:+/-20 V
漏連續電流:20.5A
電阻汲源RDS(導通):0.0045 Ohms
配置:Single Quad Drain Triple Source
工作溫度:﹢150C
安裝風格:SMD/SMT
封裝/箱體:SOIC-8 Narrow
封裝:Reel
下降時間:15ns
正向跨導gFS(值/小值):65S
小工作溫度:﹣55°C
功率耗散:3W
上升時間:19ns
工廠包裝數量:2500PCS/盤
典型關閉延遲時間:35ns
件號別名:SI4166DY-GE3
SI4166DY-T1-GE3我公司常備現貨庫存,原裝。如有假貨,十!







