陶瓷區(qū)別 |
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要區(qū)別是它們的填充介質(zhì)不同。在相同的體積下由于填充介質(zhì)不同所組成的電容器的容量就不同，隨之帶來的電容器的介質(zhì)損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同。所以在使用電容器時應(yīng)根據(jù)電容器在電路中作用不同來選用不同的電容器。 |
不同種類介紹 |
一NPO電容器 |
NPO是一種常用的具有溫度補償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質(zhì)是由銣、釤和一些其它氧化物組成的。 |
NPO電容器是電容量和介質(zhì)損耗穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55℃到125℃時容量變化為0&plun;30ppm/℃，電容量隨頻率的變化小于&plun;0.3ΔC。NPO電容的漂移或滯后小于&plun;0.05%，相對大于&plun;2%薄膜電容的來說是可以忽略不計的。其典型的容量相對使用壽命的變化小于&plun;0.1%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也不同，大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。下表給出了NPO電容器可選取的容量范圍。 |
封裝DC=50V DC=100V |
0805 0.5---10000pF 0.5---8200pF |
1206 0.5---12000pF 0.5---18000pF |
---56000pF 560---27000pF |
pF---0.33μF 1000pF---0.18μF |
NPO電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容，以及高頻電路中的耦合電容。 |
二X7R電容器 |
X7R電容器被稱為溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容器。當(dāng)溫度在-55℃到125℃時其容量變化為15%，需要注意的是此時電容器容量變化是非線性的。 |
X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的，它也間的變化而變化，大約每10年變化1%ΔC，表現(xiàn)為10年變化了約5%。 |
X7R電容器主要應(yīng)用于要求不高的工業(yè)應(yīng)用，而且當(dāng)電壓變化時其容量變化是可以接受的條件下。它的主要特點是在相同的體積下電容量可以做的比較大。下表給出了X7R電容器可選取的容量范圍。 |
封裝DC=50V DC=100V |
pF---0.56μF 330pF---0.12μF |
pF---1.5μF 1000pF---0.47μF |
pF---2.2μF 1000pF---1μF |
2225 0.01μF---10μF 0.01μF---5.6μF |
三Z5U電容器 |
Z5U電容器稱為”通用”陶瓷單片電容器。這里先需要考慮的是使用溫度范圍，對于Z5U電容器主要的是它的小尺寸和。對于上述三種陶瓷單片電容起來說在相同的體積下Z5U電容器有的電容量。但它的電容量受環(huán)境和工作條件影響較大，它的老化率可達每10年下降5%。 |
盡管它的容量不穩(wěn)定，由于它具有小體積、等效串聯(lián)電感（L）和等效串聯(lián)電阻（R）低、良好的頻率響應(yīng)，使其具有廣泛的應(yīng)用范圍。尤其是在退耦電路的應(yīng)用中。下表給出了Z5U電容器的取值范圍。 |
封裝DC=25V DC=50V |
0805 0.01μF---1.2μF 0.01μF---1μF |
1206 0.01μF---3.3μF 0.01μF---2.7μF |
1210 0.01μF---6.8μF 0.01μF---4.7μF |
2225 0.01μF---10μF 0.01μF---10μF |
Z5U電容器的其他技術(shù)指標(biāo)如下: |
工作溫度范圍10℃--- 85℃ |
溫度特性22% ---- -56% |
四Y5V電容器 |
Y5V電容器是一種有溫度限制的通用電容器，在-30℃到85℃范圍內(nèi)其容量變化可達22%到-82%。 |
Y5V的高介電常數(shù)允許在較小的物理尺寸下制造出4.7μF電容器。 |
Y5V電容器的取值范圍如下表所示 |
封裝DC=25V DC=50V |
0805 0.01μF---3.9μF 0.01μF---1μF |
1206 0.01μF---10μF 0.01μF---3.3μF |
1210 0.1μF---15μF 0.01μF---4.7μF |
2225 0.68μF---22μF 0.68μF---15μF |
Y5V電容器的其他技術(shù)指標(biāo)如下: |
工作溫度范圍-30℃--- 85℃ |
溫度特性22% ---- -82% |
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