介電容器：
瓷介電容可分為低壓低功率和高壓高功率，在低壓低功率中又可分為I型（CC型）和II型（型）。
I型（CC型）特點是體積小， 損耗低，電容對頻率，溫度穩定性都較高，常用于高頻電路。
II型（型）特點是體積小，損耗大，電容對溫度頻率，穩定性都較差，常用于低頻電路。
CC1型圓片高頻瓷介電容
適用于諧振回路及其他電路做溫度補償，耦合，隔直使用。損耗：《0.025緣電阻：10000mohm 試驗電壓：200v
允許偏差：5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上（J,K,M）溫度系數：-PPM/C環境溫度：-25—85C 相對濕度：+40C時達96%

1型圓形瓷片低頻電容：
環境溫度：-25—85C 相對濕度：+40C時達96%工作電壓50V電容范圍和允差：101—472 （+-10%） 472-403（+80-- -20%）
CC01圓形瓷片電容：
環境溫度：-25—85C 相對濕度：+40C時達96% 大氣壓力750+-30mmhg允許偏差：5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上（J,K,M）
溫度系數：1—4P +120(+-60)PPM 4—56P –47(+-60)PPM
56—180P –750(+-250)PPM
180—390P –1300(+-250)PPM
430—820P –3300(+-500)PPM
01圓形瓷片電容：
環境溫度：-25—85C 相對濕度：+40C時達96% 大氣壓力750+-30mmhg損耗《0.05緣電阻：1000mohm
允差：+80 -20%容量：1000-47000p
工作電壓：63v 試驗電壓：200v CC10 頻瓷介電容
可用于《500MHZ下，環境溫度：-55—85C 相對濕度：+40C時達98% 壓力33mmhg 震動強度：加速度10g 沖擊：加速度25g 離心：加速度15g
允差：k容量：1-47p工作電壓：500v
CC11,11園片無引線瓷片電容
該電容特為高頻頭設計，頻率特性好。
CC11直流電壓：250V標稱容量：3—39P損耗：《0.0015 緣》10000mohm
11直流電壓：160V標稱容量：240—1500 緣》2500mohm
82,CC82高壓高功率瓷片電容：
環境溫度：-25—85C 相對濕度：+40C時達98%大氣 壓力40000PA 震動：加速度15g 沖擊：加速度15g額定電壓：1—4kv 試驗電壓：2.5—8kv允差：K,M