深圳市三經偉創實業發展有限公司研發生產的晶體管測試分選機，是國內無落料等待，機械，測試系統一體化，率、高的自動化產品。直線送料采用無振動皮帶傳送,速度可達1000PCS/MIN.測試.落料采用分割器圓盤結構,速度可達250PCS/MIN。經測試后不同參數的晶體管,落入事先設定的落料箱.該分選機機械運行穩定,故障率底。測試系統是本公司與日本某公司合作研發的新成果,測試功能.其測試、穩定性及兼容性高于目前市場上普遍使用的日本測試系統。該套設備每小時產能可15K,成為該行業的產品。

機械工作原理
測試產品范圍：to-92  to-126  to-220  to-251  to-252  to-
   被測試元件通過振動盤振動送料,進入無振動直線送料系統,經入料夾傳送至分割器圓盤夾。在測試工位經過測試后,再由圓盤夾傳送至相應的落料口,氣缸開夾落料,被測試元件經落料管道進入指定的分料箱.測試不良的,進入廢料箱。

機器特點

一、  平送送料采用皮帶傳送,無振動,速度快,穩定。

二、  圓盤式夾料爪采用分割器傳動,精準、穩定,故障率低。

三、  功能測試要兩道測試工位,耐高壓,測試結果。

四、   測試分類可選擇性高,共28個分料箱,可設置27個分類。

五、 經測試過的不同參數元件經過相應的落料管道進入分料箱,無落料等待時間,高的了工作效率。

六、 本設備適用測試范圍:TO-92、TO-92S、TO-92L、TO-126、TO-220、TO-251、TO-252、TO-220、TO-等封裝類型的分立器件分選測試、兼容。

七、   測試系統除測試電壓,電流等基本參數外,還可測試熱阻,T/S值,IC測試電流20A。

八、  觸摸式平板電腦操作系統,無鍵盤,無鼠標.操作簡單,數據集中。

技術參數

 機械尺寸:1068LX580WX1050H(mm)

 機械重量:約150Kg

 工作電壓:220V  50/60HZ

 功率:約1KW

 使用氣壓:4-5Kg/

     BS-1000晶體管測試系統是按國際有關晶體管測試原理和實驗方法標準---GB4587、GB12300.G128A及行業標準SJ/T10415設計制造的,它采用的微機控制技術,在測試中能對測試條件自行設定,測試結果自動分檔,自動統計及自動加功率(加溫)測試。其測試擊穿電壓可達100V,IC測試電流達20A。系統還能測定BVceo、BVcbo的軟硬擊穿特性及HFE的線性度K,對HFE、Vces和BVceo等主要參數可用三個不同測試條件性完成測試。本系統還可測試晶體管重要的額定電流指標參數IC及△Vbe、Rth等功率性能參數。系統可測N、PNP和達林頓晶體管,還可測可控硅(THYRISTOR)。場效應管(VDMOS)、二管和穩壓管。本系統充分考慮了器件生產企業的要求,實現高穩定、度、高三大特點,一臺測試系統可以同時連接5臺機械手工作,是一臺大的晶體管綜合測試系統。

工作原理

   系統由微機控制程控電壓源、程控電壓源,取樣電路和切換電路組成。微機根據設定條件自動調整程控源,施加于被測晶體管.再由采樣電路采樣,經A/D轉換于微機顯示。

使用條件

   溫度:10~30℃

   相對濕度:20%~75%RH(30℃時)

   大氣壓力:86~106Kpa

   工作電源:220V±10%AC,50Hz±10%周圍無強電源干擾。

技術指標

1、程控電壓 / 電流源IⅡ，（PMU1，PMU2）   ±0.1%
   a.電壓：±0~20.000V  16位D / A轉換、16位A / D采樣、量程自動切換
   b.電流：±0~2.0000A  16位D / A轉換、16位A / D采樣、量程自動切換
 
2、程控電壓 / 電流源（DPS）   ±0.5%
   a.電壓：  0~30.00V  12位D / A轉換、 16位A / D采樣、量程自動切換
   b.電流：  0~20.00A  12位D / A轉換、 16位A / D采樣、量程自動切換
 
3、程控高壓源： （DDS）        ±0.5%
a.電壓：20~1000V    12位D / A轉換、 16位A / D采樣、量程自動切換
   b.電流：0~20.00mA   12位D / A轉換、 16位A / D采樣、量程自動切換
 
測試參數
 
4.1、擊穿電壓測試(BVcbo,BVceo)：
    a.測試條件：IC(IR) < 20mA，
    b.測試范圍：0~1000V
    c.精    度：<±（1% + 1di）
4.2、 擊穿電壓測試(BVebo)：
    a.測試條件： Ib < 50mA
    b.測試范圍： 0~20V
    c.精    度：<±（0.1% + 1di）
 
5、漏電流測試
    a.測試條件：Vcb、Vce、Vr：0~1000V，Veb≤20V
    b.測試范圍：0.01uA~10mA   
    c.精    度：<±（1%+1di）
   
6、HFE測試
    a.測試條件：IC≤20A，Vce=1~30V，Ib=1uA~2A
    b.測試范圍：≥3
    c.精    度：<±（1%+1di）
 
7、Vbe、VF測試
    a.測試條件：Ie（IF）≤1.0000A
    b.測試范圍：0~20.000V
    c.精    度：<±（0.1%+2di）
 
8、Vces、Vbes、Vbef、Vdf、VTM測試
    a.測試條件：IC≤20A   Ib≤1.0A   Vce=1~30V
    b.測試范圍：0~30.000V
    c.精    度：<±（1%+1di）
 
9、△Vbe、△Icbo、△HFE測試
    a.加溫功率PT：1W~100W   IC（Ie）≤5A   Is≤0~100mA
    b.加功率時間： TP=0~1000ms  Td=100~300us
    c.精    度：<±（1%+2i）