晶體三管的結構和類型
晶體三管，是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的元件。三管是在一塊半導體基片上制作兩個相距很近的PN結，兩個PN結把正塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發射區和集電區，排列方式有PNP和NPN兩種，

從三個區引出相應的電，分別為基b發射e和集電c。

發射區和基區之間的PN結叫發射結，集電區和基區之間的PN結叫集電。基區很薄，而發射區較厚，雜質濃度大，PNP型三管發射區"發射"的是空穴，其移動方向與電流方向一致，故發射箭頭向里；NPN型三管發射區"發射"的是自由電子，其移動方向與電流方向相反，故發射箭頭向外。發射箭頭向外。發射箭頭指向也是PN結在正向電壓下的導通方向。硅晶體三管和鍺晶體三管都有PNP型和NPN型兩種類型。

晶體三管具有電流放大作用，其實質是三管能以基電流微小的變化量來控制集電電流較大的變化量。這是三管基本的和重要的特性。我們將ΔIc/ΔIb的比值稱為晶體三管的電流放大倍數，用號“β”表示。電流放大倍數對于某一只三管來說是一個定值，但隨著三管工作時基電流的變化也會有的改變。