晶片(CHIP) | |
材質(zhì)（Material） | InGaAIP |
顔色(Color) | 透明 |
膠體（Colloid） | |
材質(zhì)（Material） | 環(huán)氧樹脂 |
顔色(Color) | 白 |
限參數(shù)（Absolute Maximum Ratings）（Ta=25℃）
項目參數(shù)（Parameter） | 號（Symbol） | 數(shù)值 | 單位（Unit） |
功耗（Max Power Dissipation） | PM | 80 | mW |
正向電流（Max Continuous Forward Current） | IFM | 30 | mA |
反向電壓（Max Reverse Voltage） | VRM | 5 | V |
脈沖峰值電流（Peak Forward Current） | IFP | 75 | mA |
焊接溫度/時間（Lead Soldering Temperature/Time） | TSOL | 240/≤3S | ℃/S |
工作環(huán)境（Operating Temperature Range） | TOPR | -25~+85 | ℃ |
儲存溫度（Storage Temperature Range） | TSTR | -30~+100 | ℃ |
光電參數(shù)（Initial Electrical Optical Characteristics）
項目參數(shù)（Parameter） | 號 Symbol | 小值 Min. | 一般值 T. | 值Max. | 單位 Unit | 測試條件 Condition |
發(fā)光強度（Luminous Intensity） | Iv | 12000 | 13000 | 14000 | mcd | IF=20mA |
發(fā)光角度（Viewing Angle） | 2Ø1/2 | / | 30 | / | deg | IF=20mA |
峰值波長（Peak We Length） | λp | 、 | 、 | / | nm | IF=20mA |
主波長（Dominant We Length） | λd | / | / | / | nm | IF=20mA |
頻寬（Spectral Width at half height） | △λ | / | 30 | / | nm | IF=20mA |
正向電壓（Forward Voltage） | VF | 2.8 | 3.2 | 3.4 | V | IF=20mA |
反向電流（Reverse Current） | IR | / | / | ≤30 | μA | VR=5V |
