肖特基二管是以其發明人肖特基博士(Schottky)命名的,D是肖特基勢壘二管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成D)的簡稱。D不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的,而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬-半導體結原理制作的。因此,D也稱為金屬-半導體(接觸)二管或表面勢壘二管,它是一種熱載流子二管。
是近年來問世的低功耗、大電流、速半導體器件。其反向恢復時間短(可以小到幾納秒),正向導通壓降0.4V左右,而整流電流卻可幾千毫安。這些優良特性是快恢復二管所擬的。中、小功率肖特基整流二管大多采用封裝形式。

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