IRF730-MOS管-場效應管-MOSFET
概述
場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。由多數載流子參與導電,也稱為單型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高(10^8~10^9Ω)、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、工作區域寬等優點,現已成為雙型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
產品特性:
熱阻低、開關速度快、輸入阻高、合RoHS規范
主要參數:
漏-源電壓VDS≥400V 漏電流ID=5.5A 導通電阻RDS≤1ohm






