ZEM-5熱電性能分析系統(tǒng)
技術(shù)特點：
· 適用于研究開發(fā)各種熱電材料和薄膜材料，提高測量
· 溫度檢測采用C型熱電偶，適合測量Si系列熱電材料(SiGe, MgSi等) *HT型
· 真正可測基板上的納米級薄膜（TF型）
· 可測10MΩ高電阻材料
· 標(biāo)準(zhǔn)搭載歐姆接觸自我診斷程序并輸出V/I圖表
· 基于日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)JIS (熱電能JIS 電阻率JIS R 1650-2)
ZEM-5HT | ZEM-5HR | ZEM-5LT | ZEM-5TF | |
特 點 | 高溫型 | 高電阻型 電阻：10MΩ | 低中溫型 | 薄膜型 可測在基板上形成的熱電薄膜 |
溫度范圍 | RT-1200℃ | RT-800℃ | -150℃-200℃ | RT-500℃ |
樣品尺寸 | 直徑或正方形：2 to 4 mm2 ； 長度3 ～ 15mm | 成膜基板：寬2-4mm，厚0.4-12mm，長20mm 薄膜厚度：≥nm量級 薄膜樣品與基板要求絕緣 | ||
控溫 | ±0.5K | |||
測量 | 塞貝克系數(shù)：＜±７％； 電阻系數(shù)：＜±７％ | |||
測量原理 | 塞貝克系數(shù)：靜態(tài)直流電； 電阻系數(shù)：四端法 | |||
測量范圍 | 塞貝克系數(shù)：0.5μV/K_25V/K； 電阻系數(shù)：0.2Ohm-2.5KOhm/10MΩ | |||
分辨率 | 塞貝克系數(shù)：10nV/K； 電阻系數(shù)：10nOhm | |||
氣 氛 | 減壓Ｈｅ | |||
