功率器件換相時間測試

電路換相關斷時間定義為外部切換主電路后，通態電流降至零瞬間，和器件能承受而不致轉折的斷態電壓急劇上升過零或zui早的低的正值瞬間之間的時間間隔。其測試原理是在反向恢復測試后施加特定電壓上升率的再加電壓，調整電壓和電流的間隔時間找到臨界值，讀出電流下降到零點到電壓上升。

功率器件換相時間測試

技術條件：

環境溫度： 5—35℃;

相對濕度： 小于60%；

大氣壓力： 80Kpa —106Kpa。到零點的時間。

供電電網： 單向220V±10%；

電網頻率： 50Hz±1Hz；

輸入功率：小于5KW。

zuida關斷電流ITGQM：200~20000A,連續可調，分辨率1A精度±3%±30A ，導通電流寬度zuida5mS

zuida電路換相關斷時間：≥2000μs

主電容電壓為100～4500V，連續可調，分辨率1V，容許偏差±3%±5V

電感的分檔為100u～1000uH,分4檔，自動切換

關斷反饋延遲時間：tdoff  SF  0～20μs 分辨率0.01μs  容許偏差±5%±0.05μs

關斷延遲時間：td(off)  0～20μs 分辨率0.01μs ，容許偏差±5%±0.05μs

斷態電壓上升率：dv/dt zuida5000V/μs  分辨率1V/μs，容許偏差±5%±10V/μs

通態電流下降率：-di/dt zuida-1000A/μs  分辨率1A/μs，容許偏差±5%±10A/μs

控溫范圍：25-180℃，精度2%±1℃

可以滿足150KN的自動控溫夾具

功率器件換相時間測試

核心業務為半導體功率器件測試設主要有：

MOSFET參數測試設備：

靜態參數測試（包括IGSS / BVR / VDS（Sat） / IDSS / VGSTH / VF / RDS（on））；動態參數（開通關斷/反向恢復/短路/安全工作區）測試（包括Turn_on&off / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA 等）；雪崩能力測試，老化及可靠性測試（HTRB / HTGB）。

IGBT參數測試設備：

靜態參數測試（包括IGE / VGE(th) / VCEsat / VF / ICE / VCE）；動態參數（開通關斷/反向恢復/短路/安全工作區）測試（包括Turn_on&off / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA 等）；老化及可靠性測試（HTRB / HTGB）。

二極管及可控硅/晶閘管（SCR）參數測試設備：

靜態參數測試（包括IGT/VGT / IH / VTM / VD/ID / VR/IR / dv/dt / IL ）；動態參數測試（Turn_on&off / Qrr_FRD）；浪涌參數測試ITSM；di/dt測試；老化及可靠性測試（高溫阻斷）；熱阻參數測試Rth。

產品以高度集成化、智能化、高速高精度、超寬測試范圍等競爭優勢，將廣泛應用于IDM廠商、器件設計、制造、封裝廠商及高校研究所等。

( 湖南半導體檢測)

功率器件換相時間測試