- 企業類型:制造商
- 新舊程度:全新
- 原產地:成都
IBE350干法刻蝕設備,該刻蝕設備在半導體行業中占據著至關重要的地位,可以實現納米級的精密刻蝕。對復雜微結構的器件加工,微電子器件的制造提供重要支持,在芯片領域發揮著關鍵作用。
設備尺寸:1200*1500*1800mm。
極限真空:優于≤8.0×10-5Pa。
樣品尺寸:6英寸向下兼容。
刻蝕類型:物理刻蝕。
刻蝕氣體:Ar、O2。
刻蝕氣體流量:0~100sccm。
離子源類型:考夫曼直流離子源,角度可調。
成都超邁光電科技有限公司,為國家高新技術企業、國家標準擬定單位、創新型中小企業、省專精特新企業、新經濟雙百企業,已通過GB/T與GJB雙體系認證。
公司致力于真空鍍膜、等離子刻蝕、人工晶體材料和特殊裝備的技術提升,具有全系列涂層服務裝備和檢測手段,已申請國家專利60余項,授權專利與軟件著作權50余項,擬定國家標準2項,行業標準1項,為中國物理學會固體缺陷專家委員單位,全國電熱裝備標準化委員會單位,已形成工業級、科研級和特殊級三大產品系列,公司在南充高新區(順慶高新區)建有超邁智能產業園,一期已完成3.5萬平方米廠房和配套辦公生活設施建設,具備強大的研發和制造能力。








