1 電路結構
如圖1 所示是晶振的整體電路.R1為反相器invl提供偏置,使其中的MOS管工作在飽和區以獲得較大的增益;C1,C2和雜散電容一起構成晶體的電容負載, 同時它們和反相器invl一起可以等效為一負阻, 為晶體提供其振蕩所需要的能量; R2用來降低對晶體的驅動能量, 以晶體振壞或出現異常; 反相器inv2對invl的輸出波形整形并驅動負載.
圖2 所示為晶體的等效電路,Cp是晶體兩個引腳間的電容, 對于不同的晶體, 其值在2~ 5pf之間; Rs是晶體的等效串連電阻, 其值表示晶體的損失;Cs和Ls分別為晶體的等效串連電容和電感, 這兩個值決定了晶體的振蕩頻率.
如圖1 所示是晶振的整體電路.R1為反相器invl提供偏置,使其中的MOS管工作在飽和區以獲得較大的增益;C1,C2和雜散電容一起構成晶體的電容負載, 同時它們和反相器invl一起可以等效為一負阻, 為晶體提供其振蕩所需要的能量; R2用來降低對晶體的驅動能量, 以晶體振壞或出現異常; 反相器inv2對invl的輸出波形整形并驅動負載.
圖2 所示為晶體的等效電路,Cp是晶體兩個引腳間的電容, 對于不同的晶體, 其值在2~ 5pf之間; Rs是晶體的等效串連電阻, 其值表示晶體的損失;Cs和Ls分別為晶體的等效串連電容和電感, 這兩個值決定了晶體的振蕩頻率.