1、標(biāo)稱頻率 該頻率特指晶體技術(shù)條件中規(guī)定的頻率，表示為MHz或KHz。
2、調(diào)整頻差
標(biāo)稱頻率在溫度（一般是25℃）下的允許偏差，表示為百分?jǐn)?shù)（%）或分之幾（ppm）。
3、頻率穩(wěn)定性 穩(wěn)定性是指標(biāo)稱頻率在溫度范圍內(nèi)的允許偏差，規(guī)定在25℃下，此項(xiàng)偏差為0，以標(biāo)稱頻率的百分?jǐn)?shù)（%）或分之幾（ppm）來表示。如前所述，這個(gè)參數(shù)與石英晶片的切角密切相關(guān)。
4、工作溫度范圍 石英晶體元器件在規(guī)定的誤差內(nèi)工作的溫度范圍。



5、溫度頻差
在規(guī)定條件下，在工作溫度范圍內(nèi)相對于基準(zhǔn)溫度（25℃&plun;2℃）時(shí)工作頻率的允許偏差。
6、儲(chǔ)存溫度 晶體在非工作狀態(tài)下保持標(biāo)準(zhǔn)特性的溫度范圍。
7、激勵(lì)功率 晶體工作時(shí)所消耗功率的表征值。
功率是大多數(shù)功率器件在正常電氣參數(shù)的情況下，維持工作所消耗的功率，單位為mW或uW。一般情況激勵(lì)功率應(yīng)維持在石英晶體正常起振和穩(wěn)定振蕩所需要的值，以避免年老化特性不良和晶體損傷。


8、負(fù)載電容（CL） 與晶體一起決定負(fù)載諧振頻率的外界電容。任何外部電容一旦與石英晶體串聯(lián)，即會(huì)成為其諧振頻率的一個(gè)決定因素。負(fù)載電容變化時(shí)，頻率也會(huì)隨之改變。因此，在電路中使用時(shí)，經(jīng)常會(huì)以標(biāo)準(zhǔn)負(fù)載電容來微調(diào)頻率至期望值。
9、靜態(tài)電容（C0） 等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容。
10、等效串聯(lián)電阻（Rr） 晶體在諧振頻率下的電阻值，單位為歐姆。
11、緣電阻 引線之間或引線和殼體之間的電阻。



12、DLD2
在特定的功率范圍內(nèi)所測量到的與小阻的偏差量。
13、RLD2
在指定的變化功率范圍內(nèi)測量到的阻。
14、老化 工作頻率在特定時(shí)間范圍內(nèi)的變化量，一般表達(dá)為值，單位是每年頻率變化量的分之幾（ppm/年）。頻率間而變化的原因有很多，如：密封性和完整性、制造工藝、材料類型、工作溫度和頻率。
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