薄膜熱電參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)產(chǎn)品特點(diǎn)
專(zhuān)門(mén)針對(duì)薄膜材料的Seebeck系數(shù)和電阻率測(cè)量。
測(cè)試環(huán)境溫度范圍81K~700K。
采用動(dòng)態(tài)法測(cè)量Seebeck系數(shù)，避免了靜態(tài)測(cè)量在溫差測(cè)量上的系統(tǒng)誤差，測(cè)量更準(zhǔn)確。
采用四線法測(cè)量電阻率。
熱電偶探針經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的篩選配對(duì)測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確和穩(wěn)定。
軟件操作簡(jiǎn)單，智能化可實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)模式。
薄膜熱電參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)
型號(hào) | MRS-3 | MRS-3RT | |
環(huán)境溫度 | 81K~700K | RT | |
溫控方式 | PID程序控制 | \ | |
真空度 | ≤ 1Pa | \ | |
測(cè)試氣氛 | 真空 | 空氣 | |
測(cè)量范圍 | 澤貝克系數(shù)：S ≥ 8μV/K； 電阻率：0.1μΩ?m ~ 1000KμΩ?m | ||
分辨率 | 澤貝克系數(shù)：0.05μV/K； 電阻率：0.05μΩ?m | ||
相對(duì)誤差 | 澤貝克系數(shù) ≤ 7%，電阻率 ≤ 5% | ||
測(cè)量模式 | 自動(dòng) | ||
樣品尺寸 | 長(zhǎng) x 寬:(10~18)x(4~14)mm2,薄膜厚度≥50nm | ||
主機(jī)尺寸 | 采集箱：470x400x140，單位mm | 170x250x220，單位mm | |
重量 | 31.9kg | 3.5kg | |
薄膜熱電參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)樣品要求
樣品滿足上述樣品尺寸，待測(cè)面需平整，薄膜均勻性好，與銅片接觸良好
薄膜材料厚度低可至100nm，其均勻性有較高要求，薄膜厚度別較好
薄膜材料的襯底需選擇電阻率較大或緣材料為宜，如玻璃、Si等材料
薄膜熱電參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)技術(shù)原理
動(dòng)態(tài)法：測(cè)量Seebeck系數(shù)
在待測(cè)溫場(chǎng)下給樣品兩端加一個(gè)連續(xù)變化的微小溫差，通過(guò)記錄樣品兩端溫差和熱電勢(shì)的變化，然后將溫差和熱電勢(shì)擬合成一條直線，直線斜率即為該材料在該溫場(chǎng)下的Seebeck系數(shù)。
采用四線法測(cè)量電阻率。
薄膜熱電參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試實(shí)例
標(biāo)準(zhǔn)鎳帶測(cè)試結(jié)果
東華大學(xué)MoS2測(cè)試結(jié)果
MRS-3對(duì)Bi2Te3薄膜測(cè)試結(jié)果（電工研究所提供樣品）
MRS-3對(duì)Bi2Te3薄膜測(cè)試結(jié)果（電工研究所提供樣品）
