品牌：恩科優（N＆Q）
　　型號：NXQ400-6
　　
　　一、產品簡介：
　　MYCRO原裝恩科優N＆Q系列光刻機（Mask　Aligner），是的光刻系統，在光刻領域有過35年的經驗。廣泛應用于半導體、微電子、生物器件和納米科技領域。如美國航空航天公司、美國朗唐納、飛利浦、摩托羅拉、惠普、美國半導體公司、美國國際整流公司、斯坦福大學、美國加州大學伯克利分校、倫敦大學、臺塑、墨爾本大學、華盛頓州立大學、方大集團股份有限公司、大聯大集團、廈門乾照光電股份有限公司等等。
　　
　　恩科優光刻機分為半自動和全自動兩大系列。其中，N＆Q4000系列光刻機是以半自動系統為主。該系統的操作性，的分辨率，均勻的光學系統，現代的接近式和接觸式光刻及的性價比，使恩科優光刻系統已經被各地眾多企業、研發中心、研究所和高校采用，并成為他們光刻系統的；
　　
　　二、技術參數：
　　1、曝光面積：5mm~150mm
　　2、分辨率：0.55微米；
　　3、對準：采用雙面對準技術，可0.5微米；
　　4、光強均勻度：＋/-3%（4英寸）和＋/-4%（6英寸）。
　　5、曝光模式：支持接近式曝光，各種接觸式（真空接觸、軟接觸、硬接觸等）曝光；
　　a、接近式曝光特征尺寸：
　　1um＠Gap為20　um；
　　2um＠Gap為50　um；
　　b、接觸式曝光特征尺寸：
　　0.35um＠深紫外DUV；  
　　0.5um＠近紫外NUV；
　　0.6um＠紫外UV；
　　更廣范圍（UV，DUV，NUV）的紫外光波長選擇，出射光強范圍：8mW/cm2~40mW/cm2
　　支持恒定光強或恒定功率模式；
　　6、掩膜尺寸：2　x　2英寸到　9　x　9英寸（2　x　2英寸需要掩膜轉換器）；
　　7、樣片尺寸直徑：5mm~150mm的圓片/方片和不規則碎片（支持對不規則碎片的卡盤設計）；
　　8、厚度：10mm
　　9、光強均勻性Uniformity：
　　<±1%over　2"區域；
　　<±2%over　4"區域；
　　<±3%over　6"區域；
　　10、汞燈功率：350W/500W
　　11、曝光波長：350nm-450nm
　　12、電源：高靈敏度光強可控電源。
　　
　　三、產品特點：
　　可選支持單面對準和雙面對準設計；
　　高清晰彩色雙CCD鏡頭采用的分裂視場顯微鏡鏡頭（基于無限遠修正的CCD鏡頭設計）；雙頭高清全彩物鏡（單視場或分裂視場可供用戶靈活選擇）；
　　高清彩色雙顯示屏；
　　氣動軸承導軌設計，高精準，低磨損，無需售后維護的；
　　具有自動執行楔形誤差補償，并在找平后自動定位功能；
　　操作簡易，具有支持多操作員同臺使用的友好操作界面；  
　　操控手柄調控模式的設計；
　　采用LED穿透物鏡照明技術，具有強對準亮度；
　　采用基于無限遠修正的顯微鏡鏡頭架構；
　　衍射反射的光學光路設計；
　　帶保護功能的溫度和氣流傳感器；
　　全景準直透鏡光線偏差半角：<1.84度；
　　設備穩定性，耐用性；
　　需要更詳細的恩科優光刻機產品資料
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