一、設備用途：
本設備為單室結構的多靶磁控濺射鍍膜設備，可用于單質膜及多層功能膜、金屬膜、半導體膜、介質膜等。
二、技術指標：
1.空室采用立式前開門結構，尺寸為：Φ700×H742（mm），不銹鋼材料；
2.限真空：濺射室（經烘烤）真空度限≤5×10-5Pa；
3.統漏率：停泵關機12小時后，濺射室真空度可達≤15Pa；
4.靶：四支矩形永磁非平衡靶（約15英寸×5英寸）（，由甲方自購），磁控靶不設置檔板；
5.品可加熱，加熱溫度：室溫～250℃，采用高控溫表，程序控溫；
6.氣系統：采用手動三路供氣，三路單獨進行流量控制單獨進氣。
三、系統組成：
該設備主要由真空抽氣及測量系統、濺射室系統、磁控濺射靶及電源系統、樣品臺系統（樣品臺主體、偏壓電源、樣品加熱）、氣路系統、電器及計算機控制系統、輔助系統等各部分組成。
本設備為單室結構的多靶磁控濺射鍍膜設備，可用于單質膜及多層功能膜、金屬膜、半導體膜、介質膜等。
二、技術指標：
1.空室采用立式前開門結構，尺寸為：Φ700×H742（mm），不銹鋼材料；
2.限真空：濺射室（經烘烤）真空度限≤5×10-5Pa；
3.統漏率：停泵關機12小時后，濺射室真空度可達≤15Pa；
4.靶：四支矩形永磁非平衡靶（約15英寸×5英寸）（，由甲方自購），磁控靶不設置檔板；
5.品可加熱，加熱溫度：室溫～250℃，采用高控溫表，程序控溫；
6.氣系統：采用手動三路供氣，三路單獨進行流量控制單獨進氣。
三、系統組成：
該設備主要由真空抽氣及測量系統、濺射室系統、磁控濺射靶及電源系統、樣品臺系統（樣品臺主體、偏壓電源、樣品加熱）、氣路系統、電器及計算機控制系統、輔助系統等各部分組成。
