產品概述
　　用于真空鍍膜過程中基底離子轟擊清潔及沉積過程中離子轟擊能量輸送。
　　廣泛應用于：增透膜、眼鏡鍍膜、光纖光學、高反鏡、熱／冷反光鏡、低漂移濾波器、帶通濾波器、在線清洗、類金剛石沉積等。
　　能夠薄膜的生長、優化薄膜結構，增加鍍膜的一致性和重復性，低溫率鍍膜，清除工件表面水和碳氫化合物，增加薄膜密度，降低內應力低，清除結合力弱的分子，反應氣體活度增加，薄膜成分易于控制。
　　
　　主要特點
　　結構
　　充分借鑒國內外的霍爾離子源的優點，具有的水冷和密封結構，經多次長時間的，離子源能夠在很大的等離子體束流下長期穩定工作。
　　
　　可在高溫環境下長期工作
　　在通常鍍膜工藝中，工件需加熱至很高溫度，整個真空室內溫度很高，而本離子源良好的冷卻系統能離子源在 300℃的高溫環境下長期正常工作。
　　等離子體束流大
　　為避免基片損傷，需要采用量大束流的等離子體進行輔助鍍膜。以往國內采用的多因束流小（＜1.5A）而很難理想的效果。本公司在大功率霍耳等離子體源的設計與制造技術上性的進展，制造出大束流下（＞4A）長期穩定工作的等離子體源。
　　
　　空間均勻
　　由于的磁路和放電區結構的設計，在以離子源軸線為中心 20度的圓錐內等離子態的強度均勻性可保持在&plun;20％以內。
　　適用于反應氣體
　　在離子束輔助反應沉積鍍膜過程中，通常需要用氧氣或氮氣等與蒸發的膜料進行反應沉積所需薄膜，在此過程中增加反應氣體的和能量，對形成高質量薄膜。本等離子體源可以在通入反應氣體將其離化的條件下不出現中毒現象而正常工作。
　　
　　安裝簡便、維護簡單運行成本低
　　本離子源的安裝簡單，耗材只是燈絲，日常維護工作主要是更換燈絲。
　　操作簡單
　　離子源的操作簡單，通過調節離子源的放電電流以及燈絲電流即可使離子源穩定工作。控制面板上能直接觀察到燈絲和陽的電壓、電流。
　　
　　主要性能指標
　　陽電壓：DC 50-300V
　　陽允許電流：10A
　　陽電流范圍：3-10A
　　離子束流：3.3A
　　燈絲電流：18-40A
　　氣體流量：20-100Sccm（氧）
　　外形尺寸（mm）：Φ153×254（H）
　　電源尺寸（mm）：480（W）×240（H）×600（D）
　　面板尺寸（mm）：480（W）×133（H）
　　安裝開孔：3個直徑略大于33mm的通孔