一、概述
本蒸發源系坩堝由電機直接驅動、電子束偏轉角為270º、用于蒸鍍各種金屬和非金屬材料的磁偏轉式E型電子束蒸發裝置。
用于真空鍍膜過程中電子束蒸發鍍膜。實際中廣泛應用于:增透膜、眼鏡鍍膜、光纖光學、高反鏡、熱/冷反光鏡、低漂移濾波器、帶通濾波器等。電子束蒸發能夠很好的控制薄膜厚度、控制薄膜的均勻性,增加鍍膜的一致性和重復性,薄膜易于控制。
主要特點:
結構
充分借鑒國內外的電子的優點,具有的水冷和密封結構,經多次長時間的,電子能夠在很大的電子束流下長期穩定工作。
可在高溫環境下長期工作
在通常鍍膜工藝中,工件需加熱至很高溫度,整個真空室內溫度很高,而本電子良好的冷卻系統能電子在 400℃的高溫環境下長期正常工作。
適用于反應氣體
在反應沉積鍍膜過程中,通常需要用氧氣或氮氣等與蒸發的膜料進行反應沉積所需薄膜,在此過程中增加反應氣體的和能量,對形成高質量薄膜。本電子可以在通入反應氣體下正常工作。
安裝簡便、維護簡單運行成本低
本電子的安裝簡單,耗材只是燈絲及磁件,日常維護工作主要是更換燈絲及磁件。
操作簡單
電子的操作簡單,通過調節電子的電子束束流以及掃描幅度即可使電子穩定工作(手動及全自動)。控制面板上能直接觀察到燈絲電壓、電流。
二、主要技術參數
1、電子束偏轉角:270º
2、陽電壓:6KV、8KV二檔
3、陰加熱電源:AC 3V+3V,60A可調
4、束流:間冷坩堝0~500mA、直冷坩堝0~1A
5、坩堝容量(標準型)4孔間冷:4×17mL;4孔直冷:4×22mL;環形直冷:85mL
6、磁場電源
X偏轉電流:&plun;2A可調
掃描頻率:10~250HZ
Y偏轉電流:&plun;2A可調
掃描頻率:10~250HZ
7、啟動真空度:6.7×10-a
8、坩堝定位(四孔坩堝):電控自動或手動點控
9、坩堝冷卻水
進水溫度:≤25℃
進水壓力:≥0.2MPa
水流量:≥8L/min
10、電子體接地電阻:≤4Ω







